童杨
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：3
- 2014年
- 室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。
- 刘媛媛童杨王雪霞王昆仑宋淑梅杨田林
- 关键词：射频磁控溅射氧分压光学带隙IGZOTFT
- 射频功率对ITZO薄膜结构、形貌及光电特性的影响被引量：1
- 2015年
- 在室温下采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了200 nm厚的铟锡锌氧化物(ITZO)薄膜,研究了不同功率下薄膜结构、形貌、光学和电学性能的变化规律。结果表明,ITZO薄膜为非晶薄膜并且有着良好的光电特性,其平均光学透过率超过了84%,载流子霍尔迁移率高达24 cm2·V-1·s-1。随着射频功率从50 W上升到100 W,薄膜的光学带隙从3.68 e V逐渐增加到3.76 e V。研究发现,薄膜的电学性能强烈依赖于射频功率。随着功率的增加,薄膜的电学性能呈现出先变好后变差的变化规律。当射频功率为80 W时,ITZO薄膜拥有最佳的电学性能,其电阻率为3.80×10-4Ω·cm,载流子浓度为6.45×1020cm-3,霍尔迁移率为24.14 cm2·V-1·s-1。
- 童杨王昆仑刘媛媛李延辉宋淑梅杨田林
- 关键词：光学带隙光电特性射频功率
- 非晶铟锡锌氧化物薄膜的制备及特性研究
- 近些年来，半导体氧化物薄膜作为一种新型的透明导电薄膜，因其低电阻率和高可见光透过率等优点，在微电子领域、半导体领域得到了普遍的关注。现如今应用比较广泛的半导体氧化物薄膜主要是铟锡氧化物(ITO)、氧化锌掺铝(AZO)等多...
- 童杨
- 关键词：光电性能
- 文献传递
