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朴炳国

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：首尔大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇基板
  • 4篇阈值电压
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米线
  • 4篇半导体器件
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体装置
  • 2篇有源
  • 2篇竖直
  • 2篇绝缘
  • 2篇沟道
  • 1篇信号
  • 1篇源极
  • 1篇栅极
  • 1篇栅极结构
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇输出脉冲
  • 1篇图案

机构

  • 8篇首尔大学
  • 8篇三星电子株式...

作者

  • 8篇朴炳国

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
脉冲神经网络装置、非易失性存储器装置及其操作方法
公开了脉冲神经网络装置、非易失性存储器装置及其操作方法。所述脉冲神经网络装置包括：至少一个NAND单元串；串控制电路，被配置为响应于输入脉冲而生成用于导通串选择晶体管的串选择信号；字线解码器，被配置为响应于输入脉冲而生成...
宋承桓朴炳国田普盛
具有竖直装置和非竖直装置的半导体装置及其形成方法
一种半导体装置包括延伸在水平方向上的基板和位于基板上的竖直晶体管。竖直晶体管包括：第一扩散区域，位于基板上；沟道区域，位于第一扩散区域上并在相对于基板的水平延伸方向的竖直方向上延伸；第二扩散区域，位于沟道区域上；以及栅极...
宣敏喆朴炳国
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半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于...
宣敏喆朴炳国
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包括窄有源图案的半导体装置
提供了一种半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的栅极结构。半导体装置包括有源图案，其与栅极结构相交并具有在第一方向上的宽度和在第二方向上的高度。宽度小于高度。另外，半导体装置包括电连接到有源图案的源极/漏极区。
金文铉朴炳国赵槿汇金时铉李基太
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半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于...
宣敏喆朴炳国
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半导体器件
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于...
宣敏喆朴炳国
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半导体器件及其制造方法
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于...
宣敏喆朴炳国
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具有竖直装置和非竖直装置的半导体装置及其形成方法
一种半导体装置包括延伸在水平方向上的基板和位于基板上的竖直晶体管。竖直晶体管包括：第一扩散区域，位于基板上；沟道区域，位于第一扩散区域上并在相对于基板的水平延伸方向的竖直方向上延伸；第二扩散区域，位于沟道区域上；以及栅极...
宣敏喆朴炳国
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