付晨光
- 作品数：15 被引量：1H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 热电性能测量方法被引量：1
- 2022年
- 在能源危机和碳中和环保主题的大背景下,可实现温差发电和固态制冷应用的半导体热电材料受到越来越广泛的关注。目前已有热电材料实现了商业化应用,但器件的转化效率仍不够理想。高转化效率器件的开发亟需高热电优值的材料作为支撑,热电材料的性能若得到一定程度的提升可带来极大的商业化影响,因此准确表征材料的热电性能对于开发新型高效热电材料并促进热电器件广泛应用至关重要。考虑到热电研究涉及多项基础物性参数,且热电表征的原理和手段复杂多样,分别讨论了几种不同温区范围内热电性能的表征手段,结合实例就宽温区Seebeck系数、电导率、热导率等的测量原理、操作注意事项及数据误差甄别方法等进行了详细介绍,为进行准确可重复的热电性能测试、获得高质量的实验数据提供参考。
- 郑欣韩屾高梓恒付晨光朱铁军
- 关键词：热电材料性能表征SEEBECK系数电导率热导率
- 半赫斯勒热电材料与器件研究进展
- 2022年
- 热电材料是一种可以直接实现热能与电能相互转化的新型清洁能源材料,其中半赫斯勒热电材料因其优异的高温热电性、良好的机械性能与热稳定性展现出较强的应用潜力,是极具竞争力的高温热电能量转换材料。简要回顾了近20年来半赫斯勒热电材料的发展历程,重点介绍了以ZrNiSn、NbFeSb、ZrCoSb为代表的典型18电子半赫斯勒化合物的热电输运机制特点与性能优化策略,探讨了以名义19电子半赫斯勒体系为代表的缺陷型半赫斯勒化合物的本征缺陷结构与热电输运性质,概述了半赫斯勒热电器件的最新研究成果,展望了半赫斯勒合金热电材料与器件的发展趋势。
- 苗圃韩屾高梓恒付晨光朱铁军
- 关键词：热电材料热电器件本征缺陷
- 热电材料之电子结构
- 2023年
- 基于赛贝克效应和能斯特效应的固体热电材料可以实现热能与电能的直接相互转换,具有重要的应用价值,例如在深空探测、固态制冷和精准控温等领域.本征电子结构是决定固体材料热电转换效率的关键.近年来,能带结构调控策略的不断发展与新颖电子结构的不断发现为实现热电能量转换技术的进一步突破带来了新的契机.
- 付晨光陈梦朝李艾燃朱铁军
- 关键词：热电材料电子结构
- 高优值的P型FeNbHfSb热电材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高优值的P型FeNbHfSb热电材料，原料组成为FeNb<Sub>1-x</Sub>Hf<Sub>x</Sub>Sb，其中，x＝0.06～0.2。本发明还公开了所述的P型FeNbHfSb热电材料的制备方法...
- 朱铁军付晨光赵新兵
- 一种块体能斯特器件输出性能的测试装置和方法
- 本发明涉及热电器件测试领域，公开一种块体能斯特器件输出性能的测试装置和方法，该装置包括电阻片、铜片、热电偶、待测器件、多级制冷片和水冷铜柱；电阻片和多级制冷片分别连接电源进行制热和制冷；待测器件与铜片接触面设有热电偶进行...
- 付晨光陈梦朝朱铁军
- 一种柔性可穿戴热电器件及其制备方法和应用
- 本发明公开一种柔性可穿戴热电器件及其制备方法和应用，包括步骤：将p型和n型块体热电材料切割成热电片，按p‑n交替的方式粘贴固化得到热电片复合柱体，经两次垂直切割、交替粘贴得到热电臂阵列柱体、微型热电臂阵列，沉积电极得到微...
- 朱铁军范武升赵新兵付晨光
- 一种全天候无源自供电器件及其制备方法和应用
- 本发明涉及物联网供电技术领域，具体公开一种全天候无源自供电器件及其制备方法和应用。器件依次包括耦合连接的冷端模块、热电器件、导热模块、热端模块和热交换器；通过辐射制冷材料沉积在导热片上形成用于散发热量的冷端模块；通过光热...
- 朱铁军刘凯付晨光
- 一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件
- 本发明涉及热电材料技术领域，公开一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件，所述钴基全赫斯勒合金材料为多晶体，化学式为Co<Sub>2</Sub>MnY<Sub>1‑x</Sub>Z<Sub>x</Sub>，其中，Y...
- 付晨光陈梦朝朱铁军
- 高优值的P型FeNbHfSb热电材料及其制备方法
- 本发明公开了一种高优值的P型FeNbHfSb热电材料，原料组成为FeNb<Sub>1‑x</Sub>Hf<Sub>x</Sub>Sb，其中，x＝0.06～0.2。本发明还公开了所述的P型FeNbHfSb热电材料的制备方法...
- 朱铁军付晨光赵新兵
- 文献传递
- 一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法
- 本发明涉及新材料的合成与制备，公开一类镁基半赫斯勒合金材料及其制备方法。原料组成为Mg<Sub>1‑x</Sub>M<Sub>x</Sub>NiSb，其中，M＝Ti或Zr或Hf，x表示原子百分比，0<x<1。...
- 朱铁军李艾燃付晨光
