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廖聪维: 作品数：49 被引量：29H指数：3; 供职机构：中南大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金湖南省科技计划项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

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主动发光型显示器外部补偿电路、驱动系统和驱动信号优化方法: 本发明公开了一种主动发光型显示器外部补偿电路、驱动系统和驱动信号优化方法。本发明的外部补偿电路针对小电流建立速度慢的问题，利用电流检测模块加速了电流建立速度，同时利用驱动信号产生模块产生斜波、正弦波驱动像素电路中的驱动管...; 邓联文鲁力廖聪维罗衡黄生祥柯建源; 文献传递

一种各向异性FeSiAl磁芯的制备方法及产品: 本发明公开了一种各向异性FeSiAl磁芯的制备方法及产品，其制备流程为：(1)采用砂磨机对FeSiAl铸锭破碎粉进行扁平化处理，获得片状FeSiAl磁粉；(2)利用溶胶‑凝胶工艺在片状FeSiAl磁粉表面包覆SiO<Su...; 颜铄清邓联文廖聪维黄生祥贺君刘胜; 文献传递

一种图像处理方法和装置: 本说明书一个或多个实施例提供一种图像处理方法和装置，该方法包括：获取图像，进而基于预设的监督计数器和卡普尔熵的鲸鱼优化算法，确定最佳分割阈值向量，以对图像进行阈值分割，生成阈值图像；利用基于像素集中度函数的鲸鱼优化算法，...; 邓联文高藩赵岩廖聪维黄生祥; 文献传递

具有过流保护功能的低压差线性稳压器电路: 本发明公开了一种具有过流保护功能的低压差线性稳压器电路。本发明包括稳压器部分、电流检测部分和电流控制部分，本发明的技术效果在于，取样精度高、电路稳定性好。本发明采用了电流‑电压转换型的取样电路，而不是基于取样电阻，这就避...; 廖聪维李圣黄生祥邓联文罗衡肖杰; 文献传递

一种门级电路图划分方法: 本公开实施例中提供了一种门级电路图划分方法，属于电学技术领域，具体包括：读取无向邻接矩阵；得到初始种群；根据接收到的划分指令和寻优算法，分别将每个初始个体内的顶点编码并划分为多个子集；迭代进行随机单点顺序交叉操作，得到交...; 邓联文邵小春高小惠廖聪维黄生祥; 文献传递

喻理于例、手到心到:“应用信息论”导论课的设计: 2021年; 通过多年研究生新生课程“应用信息论”的教学实践,教学团队总结凝炼了一套引导学生们克服畏难心理、快速理解信息量、信息熵等基本概念的方法。在“应用信息论”的导论课堂,通过一个天平称重的益智游戏导入信息量概念,运用头脑风暴法讨论信息量及信息熵的数学形式,多视角解读最大熵定理,达到喻理(信息论)于例的目的。通过实际动手计算及证明,更好地帮助大部分研究生新生手到心到,建立起足够的学习和研究的信心,取得了很好的教学效果。; 黄生祥邓联文廖聪维罗衡李旭光; 关键词：课程设计益智游戏

一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基磁电复合陶瓷及其制备方法: 本发明公开了一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基磁电复合陶瓷及其制备方法，该复合陶瓷材料由改性的Bi0.5Na0.5</...; 邓联文刘胜廖聪维颜铄清黄生祥贺君; 文献传递

异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型: 2020年; 针对异步对称双栅结构的氧化铟镓锌(InGaZnO)薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs),求解泊松方程,并根据载流子在亚阈区、导通区的不同分布特点,在亚阈区引入等效平带电压的概念,在导通区运用Lambert W函数近似,建立异步对称双栅InGaZnO TFT表面电势解析模型。该模型的拟合参数只有2个,能够较好地反映介电层厚度、沟道电压等参数对电势的影响。基于所建模型及TCAD分析,研究InGaZnO层厚度、栅介质层厚度以及缺陷态密度等物理量对独立栅控双栅晶体管表面电势的影响。研究结果表明:在亚阈区,表面电势随着底栅电压增大呈近似线性增大,且在顶栅电压调制作用下平移;在导通区,表面电势随着底栅电压的增加逐步饱和,且电势值与顶栅调制电压作用相关度小。表面电势的解析模型与TCAD数值计算结果对比,具有较高的吻合度;在不同缺陷态密度分布情况下,电势模型的计算值与TCAD分析值相对误差均小于10%。本研究成果有利于了解双栅InGaZnO TFT的导通机制,可用于InGaZnO TFT的器件建模及相关集成电路设计。; 何伊妮邓联文甄丽营覃婷覃婷廖聪维罗衡; 关键词：表面势解析模型

基于改进布谷鸟算法的雷达信号分选方法及装置: 本发明公开了一种基于改进布谷鸟算法的雷达信号分选方法及装置，该方法包括：获取数据对象集合，该数据对象集合由N个雷达信号的脉冲描述字组成，且每一个脉冲描述字由n维度的特征参数组成；对数据对象集合进行归一化处理，获得中间集合...; 邓联文姜莹廖聪维罗衡黄生祥; 文献传递

一种低功耗SAR ADC控制逻辑电路: 本发明公开了一种低功耗SAR ADC控制逻辑电路，该控制逻辑电路包括移位寄存器模块(10)和数据寄存器模块(20)；所述移位寄存器模块(10)，包括N个改进D触发器，所述数据寄存器模块(20)，包括N个动态比较器；相比于...; 雷杰锋廖聪维黄生祥邓联文柯建源于天宝; 文献传递