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黄少南
作品数:
4
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供职机构:
华越微电子有限公司
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合作作者
潘国刚
华越微电子有限公司
杨振
华越微电子有限公司
张晓新
华越微电子有限公司
余庆
华越微电子有限公司
吕愉
华越微电子有限公司
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集成电路设计
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华越微电子有...
作者
4篇
杨振
4篇
潘国刚
4篇
黄少南
3篇
余庆
3篇
张晓新
1篇
吕愉
年份
1篇
2017
1篇
2015
2篇
2014
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一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺,属于集成电路设计/制造领域,所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤,采用上述生产工艺制得的基于沟...
鄢细根
杨振
张晓新
朱国夫
余庆
廖洪志
赵铝虎
潘国刚
黄少南
文献传递
一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片
本实用新型公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片,属于集成电路设计/制造领域,包括硅衬底,以及依次生长在硅衬底上的埋层、外延层和绝缘层,其中,所述外延层上设有基区、上隔离区、下隔离区和磷桥区,基区的外侧环绕设有基区沟...
鄢细根
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朱国夫
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全固态高压LED驱动电路
本实用新型公开一种全固态高压LED驱动电路,属于LED灯具领域。包括依次相连的双向TVS管、整流桥和恒流驱动电路,其中,所述双向TVS管的输入端与市电输入的L、N端相连,所述恒流驱动电路包括2个或2个以上成对的相互并联的...
廖洪志
杨振
吕愉
赵铝虎
潘国刚
黄少南
文献传递
一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺
本发明公开一种基于沟槽介质隔离的双极集成电路芯片及其生产工艺,属于集成电路设计/制造领域,所述生产工艺依次包括N+埋层形成、下隔离区形成、外延层形成、磷桥区形成、上隔离区形成和沟槽形成等步骤,采用上述生产工艺制得的基于沟...
鄢细根
杨振
张晓新
朱国夫
余庆
廖洪志
赵铝虎
潘国刚
黄少南
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