井红旗
- 作品数：48 被引量：143H指数：8
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程理学更多>>
- 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管被引量：4
- 2022年
- 为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO_(2)组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO_(2)组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心。然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组。测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6%,平均峰值输出电流提升约50.4%,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化。该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果。
- 刘翠翠林楠马骁宇马骁宇刘素平
- 关键词：半导体激光二极管量子阱混杂
- 半导体单管激光器的存储装置
- 一种半导体单管激光器的存储装置，由n个存储层叠置而成，每个存储层具有基板，基板上为上表面有凹陷空间的矩形平台，凹陷空间中有横向和纵向周期排列的矩形体，每个矩形体上有“+”字形凸台，“+”字形凸台向内凹陷的一个位置与相邻的...
- 王鑫吴霞王翠鸾井红旗刘素平马骁宇
- 文献传递
- 砷化镓基近红外大功率半导体激光器的发展及应用被引量：19
- 2019年
- 综述了世界各国近年来在大功率半导体激光器方面所取得的研究成果,重点介绍了砷化镓基近红外大功率半导体激光器在输出功率、亮度、电光转换效率、光束质量、寿命与可靠性方面的研究进展。结合目前市场分析,详细阐述了半导体激光器的应用前景,展望了未来大功率半导体激光器的发展趋势。
- 袁庆贺井红旗张秋月仲莉刘素平马骁宇
- 关键词：激光器大功率半导体激光器输出功率光束质量
- 半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器
- 一种半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器，该封装方法包括：在过渡热沉的凸台上镀焊料，得到过渡热沉一；在过渡热沉一上封装半导体激光器芯片；将得到的过渡热沉与半导体激光器芯片键合连接。本发明的绝热封装方法中空气隙的引入...
- 赵碧瑶井红旗刘翠翠刘素平马骁宇
- 高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
- 马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
- MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器探测器
- 一种热沉、制备方法及其在半导体激光器中的应用
- 一种热沉，包括独立制作的散热小通道层(1)、回水通道层(2)和底座(3)，其中散热小通道层(1)和回水通道层(2)中开设有多个供冷却介质流通的通道，小通道可通过线切割方式加工。以及一种热沉的制备方法。本发明的热沉可以满足...
- 倪羽茜井红旗仲莉张俊杰马骁宇
- 文献传递
- AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响被引量：1
- 2018年
- 为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD生长975nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%,小于80%,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义。
- 井红旗倪羽茜刘启坤仲莉孔金霞王鑫刘素平马骁宇
- 关键词：半导体激光器热阻
- 高功率半导体激光泵浦源研究进展被引量：11
- 2020年
- 高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的主要泵浦源。激光泵浦源性能的大幅提升直接促进了固体激光器、光纤激光器等激光器的发展。主要介绍了8xx nm和9xx nm系列半导体激光泵浦源的最新研究进展,8xx nm单管输出功率已达18.8 W@95μm,巴条输出功率已达1.8 kW(QCW),9xx nm单管输出功率已达35 W@100μm,巴条输出功率已达1.98 kW(QCW)。谱宽<1 nm的窄谱宽半导体激光器输出功率可达14 W。展望了未来半导体激光器泵浦源的发展趋势。
- 马骁宇张娜玲仲莉仲莉井红旗
- 关键词：高功率半导体激光器光纤激光器
- 导波模式对锥形半导体激光器输出特性的影响被引量：7
- 2021年
- 近年来,锥形半导体激光器的发展受到越来越多的关注,这主要是因为它能够提供高功率高光束质量的激光输出,但过高的输出功率会导致光束质量的迅速恶化。利用专业光波导仿真软件Rsoft,对比分析了增益波导结构和折射率波导结构对锥形半导体激光器输出特性的影响,主要研究了不同导波模式下的近/远场分布以及功率-电流-电压特性。结果表明,在相同电压条件下,相较于折射率波导结构,具有增益波导结构的锥形激光器的输出功率虽相对较低,但其出光面上的光场分布更均匀,可以有效降低空间烧孔效应的影响,且其远场分布也较均匀。研究结论为锥形半导体激光器的结构设计提供了参考。
- 袁庆贺井红旗刘素平马骁宇马晓辉
- 关键词：激光器仿真
- 半导体激光器边缘绝热封装改善慢轴光束质量被引量：10
- 2020年
- 为了削弱激光器工作时芯片横向温度不均而导致的热透镜效应对慢轴发散角的影响,提高慢轴的光束质量,引入了边缘绝热封装方式,即在激光器芯片两侧与过渡热沉之间加入空气隙,以降低两侧的传导散热。利用有限元分析软件ANSYS 18.0对该封装结构中激光器芯片的温度进行仿真。结果表明:当工作电流为1.6 A,芯片与热沉的接触宽为200μm时,慢轴发散角由普通封装时的11.5°减小至8.2°,降幅为28%,光束参数积和光束质量因子也分别降低了28%和24%,热阻增大了6%。边缘绝热封装对器件激射波长、阈值电流、电光转换效率的影响很小。
- 赵碧瑶井红旗仲莉曼玉选班雪峰刘素平刘素平
- 关键词：激光器热分析半导体激光器
