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一种基于近似电路脆弱性分析的电路测试方法: 本发明涉及一种基于近似电路脆弱性分析的电路测试方法，该测试方法包括以下步骤：步骤1：针对近似电路推导某个节点信号翻转时的可靠度公式，进而得到此节点感染时近似电路失效率的计算方法；步骤2：以近似电路中不同节点作为感染源计算...; 王真温蜜刘伟景王勇; 文献传递

一种催化用纳米多面体状氧化铜粉体的制备方法: 本发明公开一种催化用纳米多面体状氧化铜粉体的制备方法，即将铜盐溶解于水中，得浓度为0.5mol/l的铜盐水溶液，然后用碱调pH为6-8，将得到的pH为6-8的铜盐水溶液控制温度为60℃，转速为450r/min进行搅拌1....; 曾涛白杨刘伟景姚伟峰; 文献传递

一种催化用多面体状纳米氧化物的制备方法: 本发明涉及一种催化用多面体状纳米氧化物的制备方法，采用钾源和钠源为熔盐的熔盐法制备得到纳米多面体状氧化铜粉体，将铜盐溶解在水中配置成溶液，向溶液中滴加碱源，直至溶液的pH在6‑8之间，将该溶液放在恒温磁力搅拌器中60℃恒...; 曾涛白杨刘伟景姚伟峰; 文献传递

基于Global拟合归一化的栅氧TDDB可靠性研究: 2017年; 这是一种基于Global拟合归一化的晶片级栅氧TDDB可靠性寿命的评估方法,根据栅氧化层TDDB失效累积时间遵从威布尔分布,对测试数据进行Global拟合处理,对常规TDDB Weibull分布进行修正。通过整套工艺中各种不同结构及面积的TDDB测试结构失效率归一化处理,获得单位面积的栅氧失效率,通过E模型外推正常工作条件下的栅氧寿命。通过比较分析发现了引起栅氧寿命波动的合金化工艺温度问题,对该工艺条件分组实验,获得较佳的工艺温度窗口。该方法能对整套工艺TDDB可靠性进行初步的分析评估,有效减少TDDB可靠性评估成本,缩短工艺开发周期。; 李清华姜慧娜罗俊一梁斌刘伟景; 关键词：经时击穿归一化

光激发半导体硅片对宽带太赫兹波的调制研究被引量：4: 2015年; 利用光泵浦-太赫兹(THz)探测(OPTP)技术,研究了THz波在Si半导体界面间的传输行为。通过改变抽运光密度从而改变样品表面的载流子浓度,实现对THz波透射/反射的有效调制。在外加中心波长为800nm的飞秒激光激发块体半导体Si片时,成功实现了对宽带THz波时域谱包括入射THz脉冲振幅和相位以及THz波次级反射峰抗反射的调制。光激发Si片可以获得任意载流子浓度的Si片实现对THz脉冲振幅的调制,调制度达到90%以上;光激发Si片能够使THz脉冲的相位发生负延迟,随着泵浦光密度的增加,负的相移越来越明显,随着频率的增高,负的相移也越来越明显;光激发Si片还能够对THz波的次级反射峰进行调制,随着泵浦光密度的改变,实现对次级反射峰的π相位以及次级反射峰抗反射的调制。光激发Si片对宽带THz波时域谱的调制为THz波在通信、国防安全等领域的应用奠定了基础。; 李高芳初凤红马红袁三男崔昊杨汤乃云刘伟景; 关键词：光密度光生载流子抗反射

光抽运太赫兹探测技术研究ZnSe的光致载流子动力学特性被引量：1: 2016年; 利用光抽运-太赫兹探测技术,研究了ZnSe的载流子弛豫过程和太赫兹波段电导率的时间演化过程.在中心波长为400 nm的抽运光作用下,ZnSe的载流子弛豫过程用双指数函数进行了很好的拟合,其快的载流子弛豫时间和慢的载流子弛豫时间均随抽运光密度的增加而增大.快的载流子弛豫时间随抽运光密度的增加而增大与样品中的缺陷有关,随着激发光密度的增加,激发的光生载流子浓度增大,缺陷逐渐被光生载流子填满,致使快的载流子弛豫时间增大;慢的载流子弛豫时间随着抽运光密度增加而增大主要和带填充有关.不同抽运光延迟时间下ZnSe在太赫兹波段的瞬态电导率用Drude-Smith模型进行了很好的拟合.对ZnSe光致载流子动力学特性的研究为高速光电器件的设计和制造提供了重要的实验依据.; 李高芳马国宏马红初凤红崔昊杨刘伟景宋小军江友华黄志明褚君浩; 关键词：光密度光生载流子

一种催化用多面体状纳米氧化物的制备方法: 本发明涉及一种催化用多面体状纳米氧化物的制备方法，采用钾源和钠源为熔盐的熔盐法制备得到纳米多面体状氧化铜粉体，将铜盐溶解在水中配置成溶液，向溶液中滴加碱源，直至溶液的pH在6-8之间，将该溶液放在恒温磁力搅拌器中60℃恒...; 曾涛白杨刘伟景姚伟峰; 文献传递

一种催化用纳米多面体状氧化铜粉体的制备方法: 本发明公开一种催化用纳米多面体状氧化铜粉体的制备方法，即将铜盐溶解于水中，得浓度为0.5mol/l的铜盐水溶液，然后用碱调pH为6-8，将得到的pH为6-8的铜盐水溶液控制温度为60℃，转速为450r/min进行搅拌1....; 曾涛白杨刘伟景姚伟峰; 文献传递

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刘伟景