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谭振

作品数：37 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 16篇碲镉汞
  • 15篇探测器
  • 12篇红外
  • 9篇芯片
  • 7篇光刻
  • 7篇红外探测
  • 7篇红外探测器
  • 6篇探测器芯片
  • 6篇衬底
  • 5篇电路
  • 5篇读出电路
  • 5篇焦平面
  • 5篇光刻胶
  • 4篇碲化镉
  • 4篇碲镉汞材料
  • 4篇刻蚀
  • 4篇互连
  • 4篇焦平面探测器
  • 4篇红外焦平面
  • 4篇红外焦平面探...

机构

  • 37篇中国电子科技...

作者

  • 37篇谭振
  • 18篇宁提
  • 8篇孙浩
  • 7篇张敏
  • 5篇李春领
  • 5篇周立庆
  • 4篇谢珩
  • 4篇陈慧卿
  • 3篇王鑫
  • 3篇刘铭
  • 3篇王经纬
  • 2篇王骏
  • 2篇王成刚
  • 2篇张鹏
  • 2篇马涛
  • 2篇刘明
  • 2篇史春伟
  • 2篇李龙
  • 2篇李忠贺
  • 2篇高达

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 3篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 10篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片
本发明公开了一种大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片的应力释放方法及碲镉汞焦平面探测器芯片，本发明通过在大面阵凝视型碲镉汞焦平面探测器芯片上刻蚀浅槽，通过隔离槽将大面阵芯片“分割”为多个小面阵区域，小面阵的面积变小，应力降...
谭振孙浩张敏刘世光
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一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法
本发明公开了一种对碲镉汞芯片钝化前的表面清洗方法，本发明是用毛刷刷洗能洗掉碲镉汞芯片表面及边缘脏渣等污染物，并通过冲洗能将刷洗的残留再一次清洗，使得清洗每片碲镉汞芯片的时间由120～150S变为60～95S。清洗每片碲镉...
戴永喜宁提谭振孙浩
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闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机
本发明公开了一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机，所述方法包括：将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内，将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强；通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔，使石英管与真空腔室...
王鑫宁提祁娇娇谭振周立庆
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红外探测器芯片的接触电极制备方法
本发明公开了一种红外探测器芯片的接触电极制备方法，所述方法，包括：在钝化层表面涂覆光刻胶，并进行光刻及显影，形成适于制备接触孔的光刻胶图形；腐蚀钝化层；对钝化层远离碲镉汞的一侧进行金属电极蒸镀；去除光刻胶以及附着于光刻胶...
刘世光张轶谭振周立庆
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用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法
本发明公开了一种用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液及腐蚀方法。用于腐蚀碲镉汞表面碲化镉CdTe薄膜的腐蚀液，包括：作为溶剂的水H2O、以及溶于所述H2O的溶质，溶质包括碘化钠NaI和氯化氢HCl。采用本发明，腐...
张轶刘世光谭振刘震宇孙浩
芯片测试用变温中测杜瓦及杜瓦组件
本发明公开了一种芯片测试用变温中测杜瓦及杜瓦组件，所述杜瓦包括外壳，设置在外壳内的第一冷指、冷头，设置在外壳外的窗口组件、连接器，设置在外壳上的排气嘴，所述外壳的底部设有用于连接制冷机的法兰，所述外壳内的第一冷指由多层中...
付志凯甘玉梅范博文韦书领谭振
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分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法
本发明提出了一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。分子束外延系统用于在衬底上外延生长至少一种外延物质，分子束外延系统包括：束流源、第一加热组件和第二加热组件，束流源用于向衬底发射外延物质，第一加热组件设于衬底...
高达王经纬周朋刘铭宁提谭振
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芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器
本发明提出了一种芯片的衬底的多次使用方法及红外探测器，芯片的衬底的多次使用方法包括：在衬底上进行薄膜层的生长制备；将衬底的部分与薄膜层分离，得到分离后的衬底余材；其中，衬底余材可再进行至少一次薄膜层的生长制备。根据本发明...
李春领谭振
一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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