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阙端磷

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇氮含量
  • 2篇氧含量
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇施主
  • 2篇退火
  • 2篇硅单晶
  • 2篇含氮
  • 2篇高温退火

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇杨建松
  • 2篇樊瑞新
  • 2篇李立本
  • 2篇杨德仁
  • 2篇张锦心
  • 2篇阙端磷

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
含氮直拉硅单晶的热处理方法
一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
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含氮直拉硅单晶的热处理方法
一种含氮直拉硅单晶的热处理方法，其特征是在氮保护气氛下，分别经过850℃～1150℃高温退火处理和650℃中温退火处理。通过这种热处理后的含氮直拉硅单晶，才能有效地消除硅中氮含量和氧含量的附加施主干扰，才便于电阻率测试和...
杨德仁杨建松李立本姚鸿年阙端磷张锦心樊瑞新张奚文
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