您的位置： 专家智库 > >

邓坚

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

主题

  • 15篇金属硅化物
  • 15篇硅化物
  • 13篇化物
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体器件
  • 9篇势垒
  • 9篇肖特基
  • 9篇肖特基势垒
  • 7篇淀积
  • 7篇衬底
  • 6篇低电阻
  • 6篇电阻
  • 5篇栅极
  • 5篇沟道
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇退火
  • 4篇平坦化
  • 4篇迁移率
  • 4篇阈值电压
  • 4篇料层

机构

  • 23篇中国科学院微...

作者

  • 23篇赵超
  • 23篇罗军
  • 23篇邓坚
  • 9篇李俊峰
  • 9篇陈大鹏
  • 7篇钟汇才
  • 4篇李春龙
  • 4篇朱慧珑
  • 4篇包琦龙

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 5篇2016
  • 7篇2014
  • 5篇2013
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
平坦化处理方法
本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩蔽层遮蔽材料层中溅射的负载条件相对较低的区域；去除第一掩蔽层；以及对材料层进行第二溅射，以使材料层平坦。
朱慧珑罗军李春龙邓坚赵超
文献传递
平坦化处理方法
本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：在材料层中对于溅射的负载条件较高的区域中形成沟槽；以及对材料层进行溅射，以使材料层平坦。
朱慧珑罗军李春龙邓坚赵超
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；执行第一离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中注入第一掺杂离子；在衬底和栅极堆叠结构上淀积金属层；执行第一退火，金属层与衬底反应形成金属硅化物的源漏区...
罗军邓坚赵超钟汇才李俊峰陈大鹏
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层；执行离子注入，在源漏区表面形成一层非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶区...
罗军邓坚赵超钟汇才李俊峰陈大鹏
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；在源漏区上淀积第一金属层；执行第一退火，使得第一金属层与源漏区反应，外延生长形成第一金属硅化物；在第一金属硅...
罗军邓坚赵超李俊峰陈大鹏
文献传递
金属硅化物制造方法
本发明公开了一种金属硅化物制造方法，包括步骤：在含硅衬底上形成特征线条；在含硅衬底和特征线条上形成镍基金属层，其中镍基金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成镍基金属硅化物所需的最小厚度；执行第一退火，使得镍基金属层与含硅衬...
罗军邓坚赵超钟汇才李俊峰陈大鹏
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成金属硅化物，以用作源漏区；执行离子注入，向金属硅化物中注入掺杂离子；执行驱动退火，使得金属硅化物与衬底界面处形成介质层。依照...
邓坚罗军赵超
文献传递
高电子迁移率晶体管的制造方法
一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在第一半导体层上栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在栅极位置处形成凹槽；在凹槽两侧的第二半导体层上形成源极和...
包琦龙邓坚罗军赵超
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；执行离子注入，向衬底中注入掺杂离子；在衬底中形成富镍相硅化物；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使得镍基金...
邓坚罗军赵超
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底中形成富镍相硅化物；执行离子注入，向富镍相硅化物中注入掺杂离子；执行驱动退火，使得富镍相硅化物转变为镍基金属硅化物以用作源漏区，并使...
邓坚罗军赵超
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0