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孙汝杰

作品数：10 被引量：2H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇氧化物薄膜
  • 6篇非晶
  • 5篇迁移
  • 5篇迁移率
  • 4篇载流子
  • 3篇乙酰
  • 3篇乙酰丙酮
  • 3篇载流子浓度
  • 2篇电极
  • 2篇旋涂
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇室温条件
  • 2篇探测器
  • 2篇紫外探测
  • 2篇紫外探测器
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇军事
  • 2篇开关比

机构

  • 10篇浙江大学

作者

  • 10篇孙汝杰
  • 9篇吕建国
  • 8篇江庆军
  • 7篇叶志镇
  • 5篇冯丽莎
  • 5篇闫伟超
  • 2篇杨振辉
  • 2篇陈凌翔
  • 2篇朱恒伟
  • 1篇吴萍
  • 1篇张杰

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
文献传递
一种紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极，且光激活层为非晶氧化物薄膜，该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<S...
吕建国江庆军孙汝杰冯丽莎朱恒伟
用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
本发明公开的用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜，其化学式为Si<Sub>x</Sub>ZnSnO<Sub>2x+3</Sub>，0.06≦<I>x</I>≦0.14，表面粗糙度RMS小于2nm，载流子浓度10<Sup>...
吕建国吴传佳叶志镇张杰吴萍陈凌翔江庆军孙汝杰
文献传递
一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种透明非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法以及作为沟道层在薄膜晶体管（TFT）中的应用。该氧化物的化学式为Ti<Sub>x</Sub>ZnSnO<Sub>2x+3</Sub>，其中0.02≤x≤0.06。室温条...
吕建国孙汝杰江庆军闫伟超冯丽莎叶志镇
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TiZnSnO非晶氧化物半导体薄膜制备及应用研究
电子产品的迅速更新换代对平板显示提出了大尺寸、高分辨、可弯曲等技术发展要求，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)平板显示技术在这方面显示巨大的应用潜力。非晶InGaZnO(a-IGZO)作为一个经典体系被广泛研究并且已被用于产...
孙汝杰
关键词：性能评价
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用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
文献传递
一种紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，以及一种用作紫外探测器光激活层的非晶氧化物薄膜。该紫外探测器包含衬底、光激活层及一对电极，且光激活层为非晶氧化物薄膜，该非晶氧化物薄膜的化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<S...
吕建国江庆军孙汝杰冯丽莎朱恒伟
文献传递
一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种透明非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法以及作为沟道层在薄膜晶体管（TFT）中的应用。该氧化物的化学式为Ti<Sub>x</Sub>ZnSnO<Sub>2x+3</Sub>，其中0.02≤x≤0.06。室温条...
吕建国孙汝杰江庆军闫伟超冯丽莎叶志镇
Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能被引量：2
2015年
采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O(NZTO)薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。
闫伟超孙汝杰陈凌翔吕建国叶志镇
关键词：磁控溅射非晶态
一种非晶氧化物薄膜晶体管沟道层及其制备方法
本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>In<Sub>7-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>O<Sub>0.5x+14.5</Sub>（...
吕建国江庆军孙汝杰冯丽莎叶志镇
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