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张立胜

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇成核
  • 5篇ALN
  • 4篇位错
  • 3篇图形化
  • 3篇外延层
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 2篇体质量
  • 2篇MOCVD
  • 2篇侧向
  • 1篇氮化物
  • 1篇低热
  • 1篇多层结构
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌控制
  • 1篇失配
  • 1篇退火
  • 1篇外延层生长
  • 1篇温度调制
  • 1篇金属有机物

机构

  • 8篇北京大学

作者

  • 8篇沈波
  • 8篇张立胜
  • 7篇许福军
  • 7篇秦志新
  • 4篇王明星
  • 4篇解楠
  • 3篇杨志坚
  • 3篇何晨光
  • 3篇王嘉铭
  • 3篇孙元浩
  • 2篇国唯唯
  • 1篇杨学林
  • 1篇于彤军
  • 1篇王新强

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法
本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物厚膜外延层的方法，首先在陶瓷衬底表面沉积填充材料，然后研磨抛光，获得光滑表面；然后在表面形成二维材料层，并对其表面进行等离子体处理和/或原位NH<Sub>3</Sub>处...
杨学林沈波吴俊慷张立胜陈正昊付星宇
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜。本发明涉及一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法，所述方法包括：制备凹面图形化蓝宝石衬底；在所述衬底上沉积AlN成核层；...
许福军沈波张立胜王明星国唯唯解楠孙元浩秦志新
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一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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一种AlN外延薄膜生长方法
本发明公开了一种AlN外延薄膜生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)生长AlN；S5、以低V/III比生长...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜
一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜。本发明涉及一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法，所述方法包括：制备凹面图形化蓝宝石衬底；在所述衬底上沉积AlN成核层；...
许福军沈波张立胜王明星国唯唯解楠孙元浩秦志新
一种高晶体质量AlN外延层的生长方法
本发明涉及外延层生长技术领域，尤其涉及一种基于大倾角蓝宝石衬底上生长高晶体质量ALN外延层的方法。该生长方法采用大倾角蓝宝石衬底，包括以下步骤：烘烤衬底；低温沉积AlN成核层；升温退火；AlN高温外延生长，利用台阶聚效应...
许福军沈波秦志新王嘉铭张立胜何晨光杨志坚
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一种基于图形化蓝宝石衬底和预溅射技术的AlN薄膜的制备方法
本发明属于III族氮化物半导体制备技术领域，涉及低位错密度AlN外延薄膜的制备。该方法结合图形化蓝宝石衬底和预溅射AlN成核层两个核心关键环节，在此基础上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)实现侧向外延过程，获得表面...
许福军沈波张立胜王明星解楠孙元浩秦志新
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一种AlN外延薄膜制备方法
本发明实施例公开了一种AlN外延薄膜制备方法。方法包括：S1、采用溅射法在衬底沉积AlN成核层；S2、采用MOCVD生长方法，在所述AIN成核层上，外延生长AIN模板；S3、采用低温、高温循环交替的方法，继续生长AIN薄...
许福军沈波张立胜王明星解楠秦志新于彤军王新强
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