您的位置： 专家智库 > >

王霄

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 5篇智能体
  • 5篇图像
  • 4篇图像分割
  • 4篇图像目标
  • 4篇二极管
  • 3篇势垒
  • 3篇肖特基
  • 3篇肖特基势垒
  • 3篇肖特基势垒二...
  • 3篇金属
  • 3篇聚类
  • 3篇聚类算法
  • 3篇多智能
  • 3篇多智能体
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电负性
  • 2篇电位变化
  • 2篇遗传聚类
  • 2篇遗传聚类算法
  • 2篇图像分割方法

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇王霄
  • 6篇王婷婷
  • 4篇熊涛
  • 4篇马晶晶
  • 4篇马文萍
  • 4篇刘红英
  • 4篇刘静
  • 4篇焦李成
  • 2篇陈国强

年份

  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法
本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅...
王霄陈国强敖金平何悦王婷婷徐杨彭韬玮
文献传递
基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法
本发明公开了一种基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法，属于微电子技术领域，包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上制备欧姆阴极以及具有两种功函数的肖特基阳极，所述的肖特基阳极中，低功函数...
王霄王婷婷敖金平徐杨何悦冶琼
文献传递
基于迭代自组织和多智能体遗传聚类算法的图像分割方法
本发明公开了一种基于迭代自组织和多智能体遗传聚类算法的图像分割方法，主要解决现有技术中分割结果过分依赖初始参数、容易陷入局部最优的问题。其分割步骤为：1)提取待分割图像的灰度信息；2)将迭代自组织算法ISODATA算法思...
刘静焦李成王霄熊涛刘红英马文萍马晶晶
文献传递
一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和...
敖金平王霄补钰煜李小波王婷婷徐杨
文献传递
基于多智能体进化算法的聚类及其在图像分割中的应用
图像分割大体上是把需要分割的图像进行划分，并对需要进行后续处理的目标进行标记的一个过程。随着模拟图像全面被数字图像所取代，数字图像处理受到了越来越多的关注，而图像分割就是众多数字图像处理技术中非常重要的一种。图像分割在图...
王霄
关键词：图像分割多智能体进化算法聚类算法
一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法
本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅...
王霄陈国强敖金平何悦王婷婷徐杨彭韬玮
文献传递
基于多目标智能体进化聚类算法的图像分割方法
本发明公开了一种基于多目标智能体进化聚类算法的图像分割方法，主要解决图像分割技术中容易陷入局部最优、算法鲁棒性不高问题。将图像分割问题转化为一个全局优化聚类问题。过程包括：提取待分割图像像素点灰度信息；参数初始化并建立图...
刘静焦李成王霄刘红英熊涛马晶晶马文萍
一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法
本发明属于微电子技术领域，公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法。包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上设置有欧姆电极和肖特基电极，肖特基电极的材料为氮化镍，欧姆电极的材料为钛、铝、镍和金，欧姆电极面积和...
敖金平王霄补钰煜李小波王婷婷徐杨
文献传递
基于多目标智能体进化聚类算法的图像分割方法
本发明公开了一种基于多目标智能体进化聚类算法的图像分割方法，主要解决图像分割技术中容易陷入局部最优、算法鲁棒性不高问题。将图像分割问题转化为一个全局优化聚类问题。过程包括：提取待分割图像像素点灰度信息；参数初始化并建立图...
刘静焦李成王霄刘红英熊涛马晶晶马文萍
文献传递
基于p-GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS-HEMT器件及其制作方法
本发明公开了一种基于p‑GaN和SiN层的自对准栅结构GaN MIS‑HEMT器件及其制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件沟道退化和栅控能力弱的问题。其包括：衬底1、缓冲层2、未掺杂的高阻GaN层3、未掺杂的AlGa...
敖金平蒲涛飞王霄补钰煜刘辰阳
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0