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程国安

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:苏州大学更多>>

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电解池
  • 2篇线阵列
  • 2篇密集度
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 1篇电极
  • 1篇电解液
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米结构
  • 1篇阵列
  • 1篇线阵
  • 1篇背电极
  • 1篇比表面
  • 1篇比表面积

机构

  • 2篇苏州大学

作者

  • 2篇李孝峰
  • 2篇曹国洋
  • 2篇吴绍龙
  • 2篇程国安
  • 2篇詹耀辉

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法
本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底层顶面未生长纳米线...
李孝峰吴绍龙程国安詹耀辉杨阵海曹国洋
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一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置及方法
<b>本发明公开了一种无损测量纳米线阵列比表面积和密集度的装置,所述纳米线阵列垂直设于导电基底层顶面,该装置包括电解池,设于所述导电基底层底面的背电极,设于所述纳米线阵列对应侧的对电极,以及覆盖于所述导电基底...
李孝峰吴绍龙程国安詹耀辉杨阵海曹国洋
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共1页<1>
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