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徐浩

作品数:17 被引量:1H指数:1
供职机构:北京大学更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 11篇沟道
  • 10篇栅结构
  • 9篇势垒
  • 9篇肖特基
  • 9篇肖特基势垒
  • 8篇肖特基接触
  • 8篇晶体管
  • 7篇场效应
  • 7篇场效应晶体管
  • 6篇半导体
  • 4篇基源
  • 3篇展开剂
  • 3篇色谱
  • 2篇异类
  • 2篇栅电极
  • 2篇隧穿
  • 2篇谱分析
  • 2篇集成度
  • 2篇光刻
  • 2篇薄层

机构

  • 17篇北京大学

作者

  • 17篇徐浩
  • 13篇王漪
  • 13篇孙雷
  • 13篇张一博
  • 13篇韩静文
  • 13篇张盛东
  • 3篇莫凡洋
  • 3篇张东晓

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2017
  • 7篇2014
  • 1篇1993
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种无结场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和无结结构的环栅场效应晶体管,包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4),一个环状栅电极(6),一个环状栅介质层(5),一个源区(2),一个漏区(3),一个半导体衬底(1);其中,源区(2)位于垂直沟道(4)...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种芯‑壳场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、芯‑壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管,包括:垂直方向的环状半导体芯,垂直方向的环状半导体壳,环状栅电极,环状栅介质层,芯源区,芯漏区,壳源区,壳漏区,半导体衬底;其中,芯源区位于垂直芯沟道的底部,与衬...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种基于机器学习的比移值预测方法
本发明公开了一种基于机器学习的比移值预测方法,采集化合物、展开剂和比移值数据,通过机器学习方法建立比移值预测模型,能够快速准确地预测出目标化合物在目标展开剂体系下的比移值曲线,并根据曲线给出最优展开剂配比方案,使得实验获...
莫凡洋徐浩张东晓
文献传递
一种非对称肖特基源漏晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和非对称肖特基势垒源/漏结构的环栅MOS晶体管,包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4),一个环状栅电极(6),一个环状栅介质层(5),一个源区(2),一个漏区(3),一个半导体衬底(1);其中,源区位于垂...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
一种芯-壳场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、芯-壳结构和无结结构的环栅场效应晶体管,包括:垂直方向的环状半导体芯,垂直方向的环状半导体壳,环状栅电极,环状栅介质层,芯源区,芯漏区,壳源区,壳漏区,半导体衬底;其中,芯源区位于垂直芯沟道的底部,与衬...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种杂质分凝肖特基源漏器件及其制备方法
杂质分凝肖特基源漏器件,包括一个垂直方向的环状半导体沟道,一个环状栅电极,一个环状栅介质层,一个源区,一个杂质分凝区,一个漏区,一个杂质分凝区,一个半导体衬底;源区位于垂直沟道的底部,与衬底相接;杂质分凝区介于源区与垂直...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
现代汉语ABB词及其历史演变
徐浩
关键词:现代汉语
一种垂直环栅隧穿晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道、异类杂质分凝和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管,包括一个垂直方向的环状半导体沟道,一个环状栅电极,一个环状栅介质层,一个源区,一个杂质分凝区,一个漏区,一个杂质分凝区,一个半导体衬底;其中,源区位...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
一种双层肖特基势垒MOS晶体管及其制备方法
一种双层源/漏肖特基势垒结构的MOS晶体管,包括半导体衬底、沟道区;下层金属硅化物源区、下层金属硅化物漏区;上层金属硅化物源区、上层金属硅化物漏区;栅介质层和控制栅;其中,沟道区呈长方体状,一侧与上、下两层金属硅化物源区...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
文献传递
一种环栅场效应晶体管及其制备方法
一种结合垂直沟道和肖特基势垒源/漏结构的环栅场效应晶体管,包括一个垂直方向的环状半导体沟道(4),一个环状栅电极(6),一个环状栅介质层(5),一个源区(2),一个漏区(3),一个半导体衬底(1);其中,源区(2)位于垂...
孙雷徐浩张一博韩静文王漪张盛东
共2页<12>
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