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王浩林

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 2篇原子
  • 2篇原子晶体
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇离子束
  • 2篇离子束溅射
  • 2篇离子束溅射沉...
  • 2篇晶体
  • 2篇溅射
  • 2篇溅射沉积
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硼
  • 1篇电池
  • 1篇数对
  • 1篇太阳电池
  • 1篇气相沉积
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基结
  • 1篇六方氮化硼
  • 1篇介质材料

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇刘鑫
  • 4篇张兴旺
  • 4篇王浩林
  • 3篇尹志岗
  • 2篇孟军华
  • 1篇吴金良
  • 1篇高红丽

传媒

  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种制备h-BN二维原子晶体的新方法:离子束溅射沉积
张兴旺王浩林孟军华尹志岗刘鑫刘恒
化学掺杂和石墨烯层数对石墨烯-硅肖特基结太阳电池性能的影响
石墨烯具有极高的载流子迁移率和光透过率以及良好的导电性,在太阳能电池领域有着广泛的应用前景,受到人们的普遍关注.石墨烯-硅肖特基结太阳电池[1]利用石墨烯与n型硅接触形成的肖特基结分离光生载流子产生光伏效应,避免了单晶硅...
刘鑫张兴旺尹志岗王浩林吴金良
一种制备六方氮化硼二维原子晶体的方法
本发明提供了一种制备六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体的方法，其特征在于先在反应腔室中通入还原性气体，对铜箔衬底进行原位退火，去除其表面氧化层；再利用离子束溅射沉积(Ion Beam Sputtering Deposit...
张兴旺王浩林刘鑫孟军华尹志岗
文献传递
利用固态碳源在介质材料表面生长石墨烯
刘鑫王浩林张兴旺高红丽
关键词：石墨烯化学气相沉积
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共1页<1>
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