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李海军

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 6篇电子设备
  • 6篇半导体
  • 5篇半导体器件
  • 4篇势垒
  • 4篇晶体管
  • 3篇电路
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇势垒层
  • 3篇迁移率
  • 3篇芯片
  • 3篇漏极
  • 3篇功率放大
  • 3篇沟道
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇场板
  • 2篇导体
  • 2篇电动
  • 2篇电动汽车
  • 2篇电极

机构

  • 14篇华为技术有限...

作者

  • 14篇李海军
  • 5篇刘涛
  • 5篇饶进
  • 5篇马平
  • 4篇贺强
  • 4篇鲁明
  • 4篇马俊彩
  • 4篇鲁微
  • 2篇何涛
  • 1篇王瑜

年份

  • 6篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种充电控制装置、方法及电动汽车
本申请公开了一种充电控制装置、方法及电动汽车，包括：信号处理模块，用于接收供电设备发送的第一控制引导信号，根据所述第一控制引导信号向唤醒模块发送目标时长的高电平信号；所述唤醒模块，用于在接收到高电平信号的时长达到目标时长...
李海军樊震
文献传递
半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件、电子设备及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。提供一种可以压缩器件面积的半导体器件。该半导体器件包括衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面一侧设置有半导体功能层，正面电极设...
何涛李水明李海军
芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端
本申请实施例提供了一种芯片及其制备方法、射频功率放大器和终端，涉及半导体技术领域，可以确保外延层与源极导电层充分接触。该芯片包括第一晶体管和第二晶体管，该方法包括：在衬底(10)上形成依次层叠设置的外延层(11)和源极导...
李水明李海军张志利刘涛饶进
高电子迁移率晶体管及其制作方法、芯片和电子设备
提供一种高电子迁移率晶体管(100)，包括依次层叠设置的GaN基材层(102)、势垒层(103)、电路层和场板(108)，GaN基材层(102)包括层叠设置的主体层(1021)和沟道层(104)，沟道层(104)邻接势垒...
张志利饶进刘涛李海军鲁微李水明汤岑贺强马俊彩樊春华术洋溢
半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体结构及其工作方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高高功率半导体器件的总输出功率。半导体结构包括多个半导体组，每个半导体组包括多个源极、多个漏极和多个栅极、漏极焊盘、栅极焊盘以...
马平李海军仲正乐伶聪
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备
本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低设置背孔对半导体器件带来的影响。半导体器件包括：衬底；沟道层和势垒层，依次层叠设置于衬底上；源极、栅极和漏极，设置于势垒层上...
张志利饶进刘涛李海军李水明鲁明
一种高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明提供了一种高电子迁移率晶体管，包括层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、钝化层及形成于所述势垒层上的源极、栅极、漏极，所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间，所述高电子迁移率晶体管设有凹部，所述凹部设有凹部...
鲁微李海军马俊彩贺强鲁明马平
文献传递
晶体管器件及电子装置
本申请提供一种晶体管器件及电子装置。该晶体管器件包括：衬底、半导体层以及设置在半导体层上的源极、栅极和漏极，半导体层包括沟道层，栅极位于源极与漏极之间，该晶体管器件还包括：导热结构，该导热结构的至少一部分位于半导体层在栅...
赫然丁瑶李海军焦慧芳
射频器件及其制备方法、电子设备
本申请实施例提供一种射频器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。射频器件包括衬底、电路结构、第一介质层、辅助电极和第二介质层。电路结构位于衬底的一侧，电路结构包括远离所述衬底的第一表面，第一表面包括台阶面，台阶面...
李水明何涛李海军
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