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程其进

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
相关领域：一般工业技术理学文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇等离子体
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米材料
  • 4篇低温等离子体
  • 3篇形貌
  • 3篇形貌可控
  • 3篇放电
  • 2篇等离子体技术
  • 2篇低维
  • 2篇低温等离子体...
  • 2篇电流
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物纳米材...
  • 2篇水平管
  • 2篇气体探测
  • 2篇气体探测器
  • 2篇子体
  • 2篇无机纳米
  • 2篇无机纳米材料
  • 2篇离解

机构

  • 11篇厦门大学

作者

  • 11篇程其进
  • 5篇冯嘉
  • 5篇云大钦
  • 4篇陈文志
  • 3篇郑将辉
  • 3篇张风燕
  • 2篇张凤燕
  • 2篇张彬彬
  • 2篇郭斌
  • 2篇黄瑄
  • 2篇林冠华
  • 1篇苏童
  • 1篇陈朝
  • 1篇陈伟
  • 1篇崔鑫

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低温等离子体技术及其在无机纳米材料的应用
等离子体技术已在材料、医学、微电子、表面处理、化工及环保等众多学科领域中得到较为广泛地应用。本文主要简单介绍了我们实验室低温离子体的开发和诊断(包括高密度电感耦合等离子体和直流辉光放电等离子体等),研究了低温等离子体在低...
程其进陈文志张风燕Kostya Ostrikov
关键词：等离子体无机纳米材料
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低温等离子体技术及其在无机纳米材料的应用
等离子体技术已在材料、医学、微电子、表面处理、化工及环保等众多学科领域中得到较为广泛地应用。本文主要简单介绍了我们实验室低温离子体的开发和诊断(包括高密度电感耦合等离子体和直流辉光放电等离子体等),研究了低温等离子体在低...
程其进陈文志张风燕Kostya Ostrikov
关键词：等离子体无机纳米材料
一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法
一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900...
程其进肖博翰苏童艾子康沈禹衡
一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法
本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤：(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中，将其放在该系统后进行不同...
程其进陈文志冯嘉郑将辉张凤燕云大钦吴洁阳
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光伏材料铜铟镓硒纳米粒子的合成与表征
铜铟镓硒太阳能电池是目前最具发展前景的薄膜太阳能电池之一,非真空纳米粒子涂膜技术又被认为是可大幅度降低铜铟镓硒薄膜太阳能电池的生产及应用成本的技术之一。在本文中,我们通过采用湿化学法,以金属盐为反应物和油胺为溶剂合成了一...
崔鑫黄瑄冯嘉云大钦张风燕程其进
关键词：铜铟镓硒光伏
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一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法
本发明公开了一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法，其步骤是提供一反应器，在反应器进出口两端相对设置一对电极；提供金属箔的衬底，将衬底放入反应器中，通入H2，升温至500-1000℃对衬底进行还原处理；通入含有碳源的气体和...
程其进吴洁阳冯嘉陈文志张彬彬郑将辉张风燕云大钦
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一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法
本发明公开了一种低维氧化锌纳米材料及其低温等离子体制备方法。其制备方法包括如下步骤：(1)使用磁控溅射在硅片沉底上沉积一层锌薄膜。(2)将镀有锌薄膜的硅片放入低温等离子体增强水平管式炉沉积系统中，将其放在该系统后进行不同...
程其进陈文志冯嘉郑将辉张凤燕云大钦吴洁阳
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在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法
在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放...
程其进郭斌渠亚洲林冠华
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一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种有源区全耗尽的pin异质结日盲紫外高速光电探测器及其制备方法，涉及日盲紫外光电探测器领域。本发明是在p型氮化镓衬底上先沉积一层本征氧化镓作为i层，然后再沉积一层硅掺杂的n型氧化镓层构成pin异质结。通过合...
张洪良陈文澄徐翔宇李明杭程其进
在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法
在金属箔基底上可控制备低维金属氧化物纳米材料的方法，涉及金属氧化物纳米材料。通过等离子体方法在金属箔表面生长出纳米材料，并通过控制温度和通入气体的比例来控制纳米材料的生长。具体步骤：将金属箔打磨去除表面氧化物并清洗后，放...
程其进郭斌渠亚洲林冠华
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