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陈达

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江师范大学更多>>
相关领域：文化科学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇电极
  • 7篇存储器
  • 4篇坩埚
  • 4篇阈值
  • 4篇物理法
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇背电极
  • 4篇衬底
  • 3篇电池
  • 3篇银电极
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇溅射
  • 3篇共掺
  • 3篇共掺杂
  • 3篇硅基
  • 3篇掺杂
  • 2篇电学性能
  • 2篇电源
  • 2篇电源功率

机构

  • 22篇浙江师范大学

作者

  • 22篇陈达
  • 21篇黄仕华
  • 3篇陆肖励
  • 2篇张若云
  • 1篇王佳
  • 1篇李兴达
  • 1篇李林华

年份

  • 1篇2022
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器
本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiC<Sub><I>x</I></Sub>O<Sub><I>y</I></Sub>，其中x=1.21~0.21，y=1.45~...
黄仕华陈达
一种低成本去除冶金硅中杂质硼的方法
本发明公开了一种低成本的去除冶金硅中杂质硼的方法，采用高温热氧化法首先在冶金硅表面生长二氧化硅薄层，其次通过热处理方式，调控杂质硼在二氧化硅/硅界面处的分凝，以及调控杂质硼过饱和析出、富集并偏析至硅晶界处，使得冶金硅内部...
黄仕华周理想陈达丁月珂芮哲
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一种碳氧化硅薄膜及阻变存储器
本发明提供了一种基于碳氧化硅薄膜的阻变材料及阻变存储器。一种碳氧化硅薄膜阻变材料，其分子式为SiC<Sub><I>x</I></Sub>O<Sub><I>y</I></Sub>，其中x=1.21~0.21，y=1.45~...
黄仕华陈达
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氮化铜薄膜太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种氮化铜薄膜太阳能电池及其制备方法，电池自下而上包括如下结构：ITO玻璃\镁掺杂氮化铜薄膜\组分渐变氮化铜薄膜\硒掺杂氮化铜薄膜\ITO薄膜\银电极，其中组分渐变氮化铜薄膜中，氮的含量自下而上逐渐变大。本发...
黄仕华康桥李林华李兴达陈达
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一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及其制备方法
本发明公开了一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及制备方法，具有多层堆叠的三维结构，自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅层、金属上电极层。本发明采用硅基材料，与传统CMOS集成电路工艺相兼容；将SiN材料...
黄仕华陈达
用于高质量多晶硅生长的坩埚底部热传导装置及方法
本发明公开了一种用于高质量多晶硅生长的坩埚底部热传导装置及方法，包括石墨台、气冷腔和水冷腔，气冷腔的底部设有入气孔和出气孔，内部设有垂直于气冷腔底部的第一入气管；所述水冷腔底部设有出水口与入水口，水冷腔内设有垂直于水冷腔...
黄仕华黄玉清陈达张若云
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一种新型阻变存储器及其制造方法
本发明公开了一种新型阻变存储器及其制造方法，包括硅片衬底、背电极，硅片衬底上方具有二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上蚀刻有若干圆柱形凹穴，该凹穴与硅片衬底接触处为阻变介质层，阻变介质层上方为硅化物层，硅化物层上方及其对应凹...
黄仕华陈达
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砷和氟共掺杂氧化锡位置敏感探测器的制备方法
本发明公开了一种砷和氟共掺杂氧化锡位置敏感探测器的制备方法，首先进行衬底清洗，清除硅片表面的污染杂质；利用油浴加热硝酸溶液，把清洗好的硅片浸泡在其中；将高纯SnCl<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O...
黄仕华周理想陆肖励陈达
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具有稳定阈值电阻转变特性的材料以及动态随机存储器件
本发明提供了一种具有稳定阈值电阻转变特性的材料，其为具有非晶硅或纳米晶硅颗粒嵌入的氧化硅薄膜，膜的厚度为30‑80nm。一种动态随机存储器件，包括顶电极、阻变介质层、衬底和背电极，该阻变介质层为上述具有非晶硅或纳米晶硅颗...
黄仕华陈达
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磁控溅射法制备硅基薄膜及其电阻转变特性的研究
随着信息社会的发展,人们对存储器（Memory）提出了愈加高的要求。目前在市场上依旧占据主流地位的闪存（FlashMemory）在存储容量（Capacity）、写入擦除读取速度（Speed）、体积（Volume）、稳定性...
陈达
关键词：硅基薄膜磁控溅射
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