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文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇稀土
  • 6篇SUB
  • 4篇稀土离子
  • 4篇离子
  • 4篇硅酸
  • 4篇发光
  • 4篇掺杂
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇荧光粉
  • 2篇正硅酸乙酯
  • 2篇浓硫酸
  • 2篇稀土元素
  • 2篇像素
  • 2篇硫酸
  • 2篇金属
  • 2篇金属元素
  • 2篇可见光
  • 2篇基板

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇魏钦华
  • 14篇刘茜
  • 14篇杨华
  • 10篇周真真
  • 10篇刘光辉
  • 2篇费凡
  • 2篇卢琦

年份

  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种制备像素化的闪烁材料膜的方法
本发明提供了一种制备像素化的闪烁材料膜的方法,所述方法包括以下步骤:将掩模版叠加到基板上,所述掩模版中包括多个贯穿该掩模版的开口;通过所述掩模版的开口在所述基板上沉积闪烁材料,从而在所述基板上形成多个分隔开的所述闪烁材料...
刘光辉刘茜周真真魏钦华杨华
文献传递
一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法
本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法,其包括如下步骤:a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理;b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔;c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片...
刘光辉杨华刘茜魏钦华周真真卢琦
文献传递
稀土离子Ce<Sup>3+</Sup>掺杂的Y<Sub>2</Sub>Si<Sub>4</Sub>N<Sub>6</Sub>C黄色荧光粉的制备方法
本发明涉及一种稀土离子Ce<Sup>3+</Sup>掺杂的Y<Sub>2</Sub>Si<Sub>4</Sub>N<Sub>6</Sub>C黄色荧光粉的制备方法,所述方法包括:1)称量硝酸钇、正硅酸乙酯、作为掺杂剂的硝酸...
刘茜万洁琼杨华魏钦华
一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法
本发明公开了一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法,所述的复合薄膜是由铜薄膜层、掺铊的碘化铯薄膜层和防潮保护膜层在基材上自下至上依次涂置而成;所述复合薄膜的制备可利用现有的镀膜技术在基材上依次涂镀铜薄膜层、掺铊的碘化铯薄膜...
刘光辉刘茜周真真费凡魏钦华杨华
文献传递
一种新型发光材料Mg<Sub>3</Sub>SiO<Sub>4</Sub>F<Sub>2</Sub>及其制备方法
本发明涉及一种新型发光材料Mg<Sub>3</Sub>SiO<Sub>4</Sub>F<Sub>2</Sub>及其制备方法,所述发光材料Mg<Sub>3</Sub>SiO<Sub>4</Sub>F<Sub>2</Sub>...
刘光辉刘茜周真真魏钦华杨华
一种发光材料Mg&lt;sub&gt;3&lt;/sub&gt;SiO&lt;sub&gt;4&lt;/sub&gt;F&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;及其制备方法
本发明涉及一种新型发光材料Mg<Sub>3</Sub>SiO<Sub>4</Sub>F<Sub>2</Sub>及其制备方法,所述发光材料Mg<Sub>3</Sub>SiO<Sub>4</Sub>F<Sub>2</Sub>...
刘光辉刘茜周真真魏钦华杨华
文献传递
稀土离子Eu<Sup>2+</Sup>掺杂的Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>N荧光粉及其制备方法
一种稀土离子Eu<Sup>2+</Sup>掺杂的Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>N荧光粉及其制备方法,所述Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub...
刘茜万洁琼魏钦华杨华
SiAlON薄膜及其制备方法
本发明提供了一种SiAlON薄膜,以Si、Al、O和N的总原子数为基准计,该薄膜包含:27.7-35.6%的Si,10.8-13.4%的Al,19.3-57.5%的O,以及3.9-31.7%的N,所述薄膜还额外包含1-3...
刘光辉刘茜周真真魏钦华杨华
文献传递
稀土离子Eu<Sup>2+</Sup>掺杂的Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>N荧光粉及其制备方法
一种稀土离子Eu<Sup>2+</Sup>掺杂的Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>N荧光粉及其制备方法,所述Y<Sub>5</Sub>Si<Sub>3</Sub>O<Sub...
刘茜万洁琼魏钦华杨华
文献传递
一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法
本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法,其包括如下步骤:a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理;b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔;c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片...
刘光辉杨华刘茜魏钦华周真真卢琦
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共2页<12>
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