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谭鹏

作品数:20 被引量:0H指数:0
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 9篇电光
  • 6篇晶体
  • 6篇光刻
  • 4篇电光效应
  • 4篇电极
  • 4篇折射率
  • 4篇图案化
  • 4篇偏转
  • 4篇偏转器
  • 4篇紫外光刻
  • 4篇刻蚀
  • 4篇掺杂
  • 3篇电畴
  • 3篇铁电
  • 3篇钽铌酸钾
  • 3篇晶体生长
  • 2篇电光晶体
  • 2篇电光偏转
  • 2篇电光偏转器
  • 2篇电控

机构

  • 20篇哈尔滨工业大...
  • 1篇山西大学

作者

  • 20篇谭鹏
  • 19篇田浩
  • 10篇周忠祥
  • 6篇孟祥达
  • 5篇王宇
  • 4篇李帅
  • 2篇王晶
  • 2篇姚博
  • 1篇李飞
  • 1篇王晓鸥

传媒

  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 3篇2024
  • 3篇2023
  • 4篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法
一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法,本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时,难实现良...
田浩李帅谭鹏孟祥达
一种基于电光谐振效应的可调谐信号滤波及加密方法
一种基于电光谐振效应的可调谐信号滤波及加密方法,涉及信号调制技术领域。本发明是为了满足自由空间光通信中信号滤波与加密需求。本发明通过外加偏压改变KTN晶体铁电畴单畴结构从而改变电光谐振频率,可实现对输入信号的可调谐滤波。...
谭鹏高聪肖扬义王宇田浩
反射式光学偏转器
一种反射式光学偏转器,属于光学偏转介质技术领域。本发明针对现有基于反光镜的微机电系统形成的反射型机械波束控制装置结构复杂并且成本高的问题。包括锰掺杂钽铌酸钾单晶,所述锰掺杂钽铌酸钾单晶的高度按预设斜率变化;所述锰掺杂钽铌...
田浩王宇谭鹏孟祥达周忠祥
电控连续渐变折射率电光晶体偏转器
电控连续渐变折射率电光晶体偏转器,属于电光偏转器技术领域。本发明是为了解决现有声光衍射式偏转器对于光束的入射角度有要求,且对同一角度入射的不同波长的光波不能同时形成衍射偏转的问题。它将电光偏转晶体放置到待偏转光路中,使入...
田浩周忠祥姚博谭鹏
文献传递
一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法
一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法,本发明涉及一种基于紫外光刻工艺的PEDOT:PSS电极的快速图案化刻蚀方法。本发明的目的是要解决现有的有机透明电极薄膜的图案化刻蚀工艺复杂、周期长、尺寸小...
田浩李帅谭鹏周忠祥
文献传递
离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置及方法
本发明公开了一种离子掺杂铁电晶体的高稳定性光场辅助极化装置,属于离子掺杂铁电晶体极化技术领域,包括激光光源、光强调节件、扩束准直器、温度控制单元以及极化电源;极化电源加载在离子掺杂铁电晶体上,离子掺杂铁电晶体设置在温度控...
田浩金昕宇谭鹏孟祥达王宇
基于弛豫铁电单晶的电光调Q开关
一种基于弛豫铁电单晶的电光调Q开关,属于激光器技术领域。本发明针对现有电光调Q开关存在的成本高和难以小型化的问题。包括:光纤耦合半导体激光器产生激光脉冲经后反射镜透射后通过Nd:YVO<Sub>4</Sub>晶体实现波长...
田浩李飞谭鹏金昕宇
一种可拉伸弹性十字超材料的制备方法
一种可拉伸弹性十字超材料的制备方法,本发明涉及超材料的制备领域。本发明要解决现有太赫兹开关器件结构复杂,且不能卷曲拉伸、工作频段单一的技术问题。方法:在基底旋涂牺牲层,磁控溅射金属银,形成银层;旋涂光刻胶,采用光刻机曝光...
田浩王晶谭鹏周忠祥
文献传递
可变梯度折射率KTa1-xNbxO3晶体的设计,生长与电光应用
梯度折射率光学材料由于其在集成光学,光纤光学和光学成像上的应用而受到广泛的关注。而目前,大多数梯度折射率材料在制成后其折射率分布往往无法再被改变,限制了这种材料的应用性能。我们通过使用具有可控二次电光系数分布的钽铌酸钾单...
田浩谭鹏周忠祥
关键词:电光效应晶体生长
文献传递
四方相Fe:KTa_(1–x)Nb_(x)O_(3)晶体电致应变分布特性
2022年
采用顶部籽晶助熔法制备0.15%(摩尔分数)Fe掺杂的KTa_(1–x)Nb_(x)O_(3)晶体,测试了晶体介电性能、电致应变性能分布、组分分布和电畴结构。结果表明:数字全息是一种有效表征材料应变空间分布的方法,Fe:KTN晶体电致应变性能呈现不均匀分布的特性,室温下外加电场为435 V/mm时,晶体应变最大值为0.05%,有3/4区域应变在0.02%附近。Fe:KTN晶体的应变分布与组分分布、电畴结构之间存在联系,室温低于晶体Curie温度时,晶体Nb元素含量少的区域电畴结构小,具有更大的电致应变。
金昕宇田浩谭鹏谭鹏
关键词:介电性能电畴结构
共2页<12>
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