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刘冬华

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇纳米材料
  • 2篇接触电阻
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇过渡层
  • 2篇半导体纳米材...
  • 2篇掺杂
  • 2篇触电
  • 1篇纳米线
  • 1篇硅纳米线
  • 1篇半导体
  • 1篇TRANSI...
  • 1篇ALD
  • 1篇ATOMIC
  • 1篇CARRIE...
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇FETS

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇时东霞
  • 4篇张广宇
  • 4篇刘冬华
  • 2篇史志文
  • 2篇杨蓉
  • 1篇张连昌
  • 1篇白雪冬
  • 1篇田学增
  • 1篇王多明

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种半导体纳米材料器件的制作方法
本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四...
刘冬华张广宇时东霞
文献传递
基于石墨烯边缘的纳米结构加工
来,石墨烯基于其独特的物理性质已经引起人们的广泛关注.石墨烯纳米结构对于研究石墨烯的本征的物性和将石墨烯应用到各种功能器件具有重要的意义.我们发现了一种可控的纳米结构加工方法.相比于传统的微加工方法,这种新的方法采用石墨...
谢贵柏史志文杨蓉刘冬华杨威成蒙王多明时东霞张广宇
关键词：NANORIBBONSNANOSTRUCTUREATOMICDEPOSITIONGATE
一种半导体纳米材料器件及其制作方法
本发明公开了一种半导体纳米材料器件及其制作方法，制作方法包括：步骤一，制备低掺杂的半导体纳米材料；步骤二，在所述轻掺杂半导体纳米材料的表面生长高掺杂的过渡层；步骤三，在具有所述过渡层的所述半导体纳米材料上制作电极；步骤四...
刘冬华张广宇时东霞
文献传递
增加一层重掺杂层来减小硅纳米线接触电阻
米线做为一维的半导体材料,在纳米电子以及光电子器件方面具有广泛的应用,随着器件尺寸降低,金属与半导体接触电阻影响更加明显,接触电阻的存在影响了器件的整体性能,因此减小接触电阻是很必要的.
刘冬华时东霞张广宇史志文张连昌何聪丽张菁成蒙杨蓉田学增白雪冬
关键词：CARRIERFIELD-EFFECTTRANSISTORS
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