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张国彦

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇保护器件
  • 5篇ESD保护
  • 5篇ESD保护器...
  • 4篇隔离区
  • 2篇闩锁
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲作用
  • 2篇晶体管
  • 2篇负反馈
  • 2篇PNP
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅结构
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇开启电压
  • 1篇建模仿真
  • 1篇隔离层

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇张国彦
  • 5篇刘毅
  • 5篇刘志伟
  • 5篇杨雪娇
  • 5篇田瑞
  • 5篇刘凡

年份

  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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新型Nanowire器件的测试、建模与仿真
Nanowire器件的工艺尺寸进入纳米量级，其三维结构可以较好地节省面积，在较小的面积下实现所需的性能。在纳米级别的器件中，MOSFET器件应用较为广泛，本文利用的是台湾交通大学Nano Facility Center中...
张国彦
关键词：建模仿真
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一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法
本发明公开了一种新型栅极接地NMOS结构ESD保护器件及其制作方法，保护器件包括P型衬底，P型衬底内有P阱区，P阱内注有第一P+区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第二P+区，在P阱内第二N+区的下方设有P型浅阱；第...
刘志伟连捷坤纪长志繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件
本发明公开了一种基于横向PNP结构的双向ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第二N型阱，第一P+注入区，第二P+注入区，第一N+注入区，第二N+注入区，第三P+注入区，第四P...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
文献传递
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件
一种基于SCR结构的新型ESD保护器件，可用于片上ICESD保护电路。保护器件主要由P型衬底，第一N型阱，第一P型阱，第二N型阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区,第二P+注入区，第四N+注...
纪长志刘志伟繆家斌刘聂张国彦刘毅杨雪娇田瑞刘凡
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