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徐运海

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇BF
  • 2篇退火
  • 2篇离子注入
  • 2篇光谱
  • 2篇硅
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇退火效应
  • 1篇椭偏光谱
  • 1篇耐磨
  • 1篇耐磨损
  • 1篇耐磨损性
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机使用
  • 1篇防霉
  • 1篇防污
  • 1篇磁盘

机构

  • 4篇中山大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇徐运海
  • 3篇陈树光
  • 2篇朱文玉
  • 1篇郭扬铭
  • 1篇林成鲁
  • 1篇陈弟虎
  • 1篇朱小兵

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
BF_2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
1993年
把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2^+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10^(13)-5×10^(15)ion/cm^2),147keV BF_2^+分子离子77K注入硅以及相应的B^+、F^+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF^2^+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B^+、F^+注入损伤相比,BF_2^+注入存在显著的分子效应。
朱文玉李晓勤林成鲁陈树光徐运海
关键词：离子注入光谱
硅中BF<'+,2>注入损伤和退火的椭偏光谱研究
徐运海
防霉磁盘及其制备方法
本发明涉及计算机使用的防霉磁盘及其制备方法。目前国内外生产的磁盘缺少防霉功能，一旦发霉，磁盘中储存的信息会受到破坏。本发明采用射频等离子体增强化学气相沉积法在普通磁盘上生长一层类金刚石碳膜，不但具有很好的防霉作用，对磁盘...
陈树光陈弟虎郭扬铭徐运海朱小兵
文献传递
BF^＋2注入硅的损伤和退火
1994年
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定退火后晶格恢复的程度．结果表明，椭偏测量是研究分子离子注入Ｓｉ的有用工具；ＢＦ注入硅样品的退火转变温度在５００℃以下；并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。
陈树光徐运海朱文玉
关键词：离子注入退火效应
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共1页<1>
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