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程立文

作品数:9 被引量:14H指数:2
供职机构:扬州大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:江苏省高校自然科学研究项目国家级大学生创新创业训练计划江苏省自然科学基金更多>>
相关领域:文化科学理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射激光器
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇发射激光器
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 1篇单晶
  • 1篇导体
  • 1篇电池
  • 1篇电池性能
  • 1篇电路
  • 1篇电子专业
  • 1篇淀积
  • 1篇疫情
  • 1篇优化设计
  • 1篇有机-无机

机构

  • 8篇扬州大学
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇华芯半导体科...

作者

  • 8篇程立文
  • 2篇尧舜
  • 2篇王智勇
  • 2篇王青
  • 2篇吴曙东
  • 1篇张秀云
  • 1篇曾祥华
  • 1篇龙裕
  • 1篇兰天

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇物理通报
  • 1篇大学物理
  • 1篇扬州大学学报...
  • 1篇科教文汇
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 3篇2021
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2014
9 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
InGaN p-i-n同质结太阳能电池性能的理论分析被引量:1
2015年
基于复合速率连续性方程,理论分析了InGaN p-i-n同质结太阳能电池的性能.结果表明,随着In组分含量增加,载流子收集效率、填充因子和开路电压均减小,短路电流密度增大,这些因素导致太阳能电池转换效率先增大后减小.当In摩尔分数大约为0.6时,太阳能电池转换效率达到最大.当缺陷密度低于1016 cm-3时,缺陷密度对载流子收集效率和短路电流密度几乎没有影响,而当缺陷密度高于1017 cm-3时,随着缺陷密度增大,载流子收集效率、短路电流密度、开路电压、填充因子和转换效率均减小.In摩尔分数越高,缺陷密度对太阳能电池性能的影响越大.
马万康吴曙东程立文龙裕
关键词:太阳能电池INGAN缺陷密度
关于半导体器件原理与仿真课程“线上+线下”混合教学的思考被引量:1
2021年
目前,我国半导体芯片技术被以美国为首的西方国家封锁,集成电路产业遭遇“卡脖子”的问题。为了满足国家对芯片产业人才的战略需求,必须从源头抓起,重视对学生集成电路相关产业基础知识的培养。在此背景下,集成电路科学与工程学科近日被列入一级学科目录。同时,在面临新冠肺炎疫情防控等特殊情况时,线上教学作为一种新型的教学形式,在规避接触风险的同时也取得了不错的教学效果。后疫情时代,线下教学得以有序开展,线上教学作为一种新型的补充教学形式逐渐被认可并纳入教学活动中,采用“线上+线下”混合模式进行教学逐渐成为一种新常态。该文结合笔者自身的教学经验,对半导体器件原理与仿真课程“线上+线下”混合教学的教材选择、教学内容及其课时分配、考核方式的变革等方面进行了探讨。
程立文
关键词:芯片集成电路
940nm垂直腔面发射激光器的设计及制备被引量:6
2019年
利用PICS3D计算得到InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的增益特性,得到量子阱的各项参数,再通过传输矩阵理论和TFCalc膜系设计软件分别仿真出上下分布式布拉格反射镜的白光反射谱.采用金属有机化合物气相沉积技术外延生长了垂直腔面发射激光器结构,之后通过干法刻蚀、湿法氧化以及金属电极等芯片技术制备得到8μm氧化孔径的VCSEL芯片.最终,测试得到其光电特性实现室温下阈值电流和斜效率分别为0.95 mA和0.96 W/A,在6 mA电流和2 V电压下输出功率达到4.75 mW,并测试了VCSEL的高温特性.
于洪岩尧舜张红梅王青张杨周广正吕朝晨程立文郎陆广夏宇周天宝康联鸿王智勇董国亮
关键词:垂直腔面发射激光器
基于角分辨光电子能谱的有机-无机钙钛矿单晶的电子结构研究
有机无机钙钛矿材料由于具有潜在的应用前景,近年来受到了科学家们的广泛关注.包含有机-无机钙钛矿层的杂化太阳能电池具有光吸收系数高、寿命长、扩散长度大、激子结合能低、易于制造等优点,已显示出较好的器件性能,其实验室报道的功...
杨金彭张秀云程立文曾祥华
关键词:角分辨光电子能谱晶体结构
GaN-AlGaN-GaN特殊势垒结构LED的光电特性研究
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性.其开启...
程立文
用变分优化正交的连带Laguerre基函数计算无支撑单层MoS_(2)中激子的能量和波函数
2021年
采用基于变分优化正交化连带Laguerre基函数的准确对角化方法计算了无支撑单层MoS _(2)中A型激子的能量和波函数.介电屏蔽效应破坏了SO(3)对称性导致激子能量以反常的轨道角动量顺序出现.该方法利用连带Laguerre多项式构造了既满足束缚态又满足连续态的正交基函数集,并推导了哈密顿量矩阵元的解析表达式.收敛速度不仅与基函数的数量有关,而且与变分参数的大小有关.在变分优化下,收敛速度非常快,表明了该方法的可靠性.采用正交化连带Laguerre基矢可大大减小基函数的数量和计算量.我们计算的激子本征能量即使是在很少的基函数下也与文献中的结果非常吻合.变分优化二维正交归一化连带Laguerre基矢适用于二维材料中激子和原子物理的精确描述.
吴曙东王强程立文
“中美贸易摩擦”背景下微电子专业“半导体物理学”的教学改革初探被引量:2
2021年
中美贸易摩擦对我国半导体行业和芯片的制裁,使得半导体行业中集成电路产业中的“软肋”凸显出来.在当前形势下,应当加强我国半导体行业和芯片的发展,培养专业人才,“半导体物理学”作为微电子专业的核心课程,是集成电路和芯片技术的基础.在当前新形势和疫情防控背景下,进一步提高该课程的教学质量势在必行,笔者结合自身教学,对课程内容、“线上+线下”混合教学模式、信息化资源的引入等问题进行了一些探索,期待为新时代高校课程建设提供新思路.
程立文
关键词:中美贸易摩擦半导体物理
高速850 nm垂直腔面发射激光器的优化设计与外延生长被引量:4
2018年
利用传输矩阵理论和TFCalc薄膜设计软件分析了分布布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器(VCSEL)的反射率谱特性,对比了从谐振腔入射与从表面入射时反射率谱的差异,为白光反射谱表征VCSEL外延片提供了依据.利用Crosslight软件模拟了InGaAs/AlGaAs应变量子阱的增益谱随温度的变化特性及VCSEL器件内部温度分布,设计了增益-腔模调谐的VCSEL.采用金属有机物化学气相淀积设备外延生长了顶发射VCSEL,制作了氧化孔径为7.5μm的氧化限制型VCSEL器件,测试了器件的直流特性、光谱特性和眼图特性;6 mA,2.5 V偏置条件下输出光功率达5 mW,4级脉冲幅度调制传输速率达50 Gbit/s.
周广正尧舜于洪岩吕朝晨王青周天宝李颖兰天夏宇郎陆广程立文董国亮康联鸿王智勇
关键词:垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜金属有机物化学气相淀积
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