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基于磁控溅射的Love波器件ZnO波导层制备研究: 2016年; 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射技术,在制备有叉指换能器(IDT)的LiNbO3衬底上制备了具有ZnO波导层的Love器件。在制备过程中,溅射室真空度为4.0×10-4 Pa,溅射气压为5.4Pa,溅射时间为400min,溅射温度150℃。使用X线衍射仪对ZnO波导层的晶向和微观结构进行分析,并用网络分析仪对以ZnO为波导层的Love波器件进行响应特性分析。测试结果表明,制备的ZnO波导层具有高度(002)择优取向,平均晶粒尺寸为50.99nm,内应力较小。以该ZnO为波导层的Love器件的中心频率为101.764MHz,插入损耗为-21.2dB,具有较好的响应特性。; 文常保马跃姜燕妮马琼李演明巨永锋; 关键词：磁控溅射 ZNO 微观结构晶粒尺寸

溅射温度对Love波器件ZnO波导层性能的影响被引量：1: 2016年; 为了研究射频磁控溅射温度对Love波器件ZnO波导层的影响机理,在溅射温度分别为25,50,100,150和200℃、本征真空度为4.0×10^-4 Pa、溅射气压为5.4 Pa、溅射时间为400 min条件下,制备了一组具有ZnO波导层的Love波器件。使用X射线衍射仪对ZnO波导层的结晶取向和微观结构进行分析,并用网络分析仪对以ZnO为波导层的Love波器件进行响应特性分析。测试结果表明：在25～150℃,随着溅射温度的升高,ZnO波导层的（002）择优取向变高,平均晶粒尺寸增大,内应力减小。当溅射温度大于150℃时,ZnO波导层的（002）择优取向变低,平均晶粒尺寸减小,内应力增大。与其他溅射温度相比,150℃下制备的ZnO波导层的（002）择优取向最好,平均晶粒尺寸最大（53.36 nm）,内应力最小。150℃下制备的Love波器件插入损耗最小（17.7 dB）,响应特性最好。; 文常保马跃马琼姜燕妮李演明巨永锋; 关键词：ZNO 微观结构

一种Love波器件三维建模及特性研究被引量：2: 2015年; 为了准确表征Love波器件的质点位移和色散关系,提出了一种Love波器件三维建模方案。在Love波器件的三维建模中,该方案用有限数量单元去逼近实际Love波器件的真实物理结构和叉指换能器、波导层等实际载荷工况。通过一个压电基片材料为128°YX-LiNbO3,金属叉指换能器为Al电极,波导层材料为ZnO薄膜的Love波器件三维模型实验,验证了该Love波器件建模方案的可行性。实验结果表明,在49～51 MHz的频率范围内,Love波模态声波的频率为49.072 MHz、49.295 MHz、49.607 MHz和50.062 MHz。在这4个频率处Love波仅存在X方向质点位移的变化,Y和Z方向的质点位移都为0。器件的色散关系为随着角频率增大,Love波的速度逐渐减小。; 文常保靳雪莹马跃李演明巨永锋; 关键词：三维建模色散关系

声表面波器件输入及输出负载阻抗匹配研究被引量：3: 2017年; 针对声表面波器件测量中网络分析仪的负载阻抗与射频传输线特性阻抗不匹配,导致传输线上反射波幅值较大的问题,提出一种减少传输线上反射波的负载阻抗匹配系统与方案。负载阻抗匹配方案针对声表面波器件测量中输入与输出端分别设计不同的无源负载阻抗匹配网络,使输入输出端都处于匹配状态。负载阻抗匹配系统集成了未匹配通道与匹配通道,根据负载阻抗不同调整匹配参数。对一个中心频率为101.764 MHz,带宽为30 MHz的声表面波器件使用该匹配方案前后中心频率处的衰减进行测量对比,实验结果表明采用该匹配方案后在中心频率点处输入及输出反射损耗分别为-49.36 dB和-38.13 dB,比未采用匹配方案时分别减少了44.99 dB和29.44 dB。; 文常保姜燕妮马琼马跃靳雪莹李演明巨永锋; 关键词：声表面波器件反射损耗

磁控溅射制备ZnO波导层及Love波湿度传感器的研究: Love波器件由于能量主要分布于波导层中，而且Love波不存在基片法向量的位移分量，与基片表面及波导层负载间耦合非常小。因此，在电子器件、传感器、生物分析芯片等领域得到了广泛的研究和应用。Love波器件波导层的生长关系到...; 马跃; 关键词：磁控溅射湿度传感器

一种磁控溅射载物台: 本实用新型公开了一种磁控溅射载物台，包括载物板，所述载物板上方安装有底座；所述载物板底面设置有用于放置目标器件的置物槽；所述置物槽的侧壁上设置有多个金属片槽，所述多个金属槽的轴线均与所述载物板的轴线垂直；所述多个金属片槽...; 文常保马跃靳雪莹巨永锋李演明全思; 文献传递

溅射温度对ZnO薄膜性能影响的研究: 2015年; 在室温200℃的范围内，对磁控溅射制备NZnO薄膜性能进行了研究。实验中，以ZnO为阴极靶材，通过温度调节器对基片溅射温度进行控制，以实现对ZnO溅射薄膜特性的控制。系统真空度为3×10^4Pa，溅射气压为5．5Pa，溅射时N90min，通过XRD进行表征，用Jade5．0软件分析，结果表明，制备出ZnO薄膜表面平整、结构致密，具有高度c轴择优取向；在室温200℃的范围内，随着温度的升高，（002）衍射峰的位置趋向34．4°。; 文常保马跃; 关键词：ZNO薄膜磁控溅射 X射线衍射

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马跃