袁悦
- 作品数：15 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国际热核聚变实验堆计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺核科学技术理学一般工业技术更多>>
- 钨中氘氦行为的高分辨热脱附谱实验方法研究被引量：3
- 2018年
- 氢同位素在材料中的扩散、捕获和滞留等行为可通过热脱附谱实验方法进行研究。为实现对同时含有氘氦的钨材料进行热脱附测量并研究钨中氘氦滞留行为,搭建了1套基于高分辨四极质谱仪的热脱附实验系统HiTDS。HiTDS实现了1.2×10^(-6) Pa的高本底真空度,速率为1K/s的精确线性升温,最高加热温度达1 423K,能准确测量样品中气体元素的脱附速率和脱附量。通过配备高分辨四极质谱仪,HiTDS可快速分辨氘氦元素并测量其脱附速率。HiTDS经过调谐校准、标定系数标定后,对氘氦等离子体辐照钨样品进行了热脱附测量。测得的氘氦热脱附谱显示,纯氘脱附量与剂量正相关,而氦的引入显著抑制氘滞留并使其趋于饱和。热脱附实验结果与类似辐照条件的其他研究成果基本一致,检验了该实验方法的有效性。
- 傅青伟程龙王军袁悦吕广宏
- 关键词：氦热脱附
- 一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法
- 一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法属于核聚变能源应用领域。所述的钨基柱状晶高熵合金，具有(001)取向的柱状晶粒，晶粒尺寸为10‑70μm。各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 20～35％，Ta ...
- 袁悦孙钰涵王诗维程龙吕广宏
- 文献传递
- 高热流氦中性束辐照下钨钒合金的表面损伤行为研究
- 材料问题是聚变能源实现的关键问题之一。作为偏滤器部位首选材料的钨(W)，因具有低温脆性、高韧脆转变温度等缺点，对其服役性能产生一定影响。添加合金化元素是提高钨基材料性能的良好手段。钒(V)元素的添加能够细化组织晶粒，提高...
- 王军袁悦程龙郭望果王峥秦韶阳周张健吕广宏
- 关键词：热冲击氦
- 一种直接加热型六硼化镧热阴极结构及其制作方法
- 本发明涉及一种直接加热型六硼化镧热阴极结构及其制作方法，包括若干立方六硼化镧长块，所述立方六硼化镧长块依次通过钼电极串联连通，所述立方六硼化镧长块为偶数块，并排状呈平面分布，所述立方六硼化镧长块与钼电极之间填充石墨片，所...
- 程龙尹皓张梦琦彭加官袁悦吕广宏
- 聚变钨材料辐照损伤缺陷的正电子湮没分析
- 聚变钨材料的服役环境非常复杂和苛刻,不断受到来自聚变等离子体及各种粒子(氘,氚,中子等)的轰击,特别是高能中子的辐照,将导致材料中大量辐照缺陷的产生、迁移和聚集,引起材料的肿胀和变形,对壁材料的服役性能产生严重影响.研究...
- 袁悦朱秀丽卢二阳张鹏曹兴忠王宝义张颖吕广宏
- 钨中氢同位素热脱附实验的速率理论模拟研究被引量：1
- 2015年
- 本文采用基于速率理论的模拟方法研究钨材料中氢同位素氘的热脱附谱.热脱附数据来源于520 K下受等离子体辐照的多晶钨,入射离子能量为40 eV,剂量为1×1026D/m2.通过调节速率理论中的俘获能、俘获率等参数,最终获得与实验相符合的热脱附拟合谱.拟合结果表明,钨中俘获的氘存在于三种俘获态,俘获能分别为1.14 eV,1.40 eV和1.70 eV,相应脱附温度峰值为500 K,600 K和730 K.这三个俘获能分别应对应于第一原理计算得到的空位俘获第3—5个氢原子的俘获能(含零点振动能修正)、空位俘获第1—2个氢原子的俘获能,空位团簇对氢原子的俘获能.模拟结果表明,在本辐照实验条件下,钨中空位及空位团簇是氘在钨中的主要俘获态.
- 邹达人金硕许珂吕广宏赵振华程龙袁悦
- 关键词：氢同位素热脱附谱
- 氮预辐照对钨在不同温度氘辐照作用下表面形貌及氘滞留行为的影响
- 在未来的聚变反应堆中，钨是最具有优势的面向等离子体材料，它在很多托卡马克实验装置中已经被用来作为第一壁材料和偏滤器部件。为了降低钨材料在装置中受到的热冲击，氮和氖、氩等杂质气体被注入到装置中。其中氮等离子体在注入后表现出...
- 秦韶阳高亮程龙袁悦Wolfgang Jacob吕广宏王金良
- 关键词：氮钨
- 直线等离子体装置中一种样品温度控制与测量结构
- 本实用新型涉及直线等离子体装置中一种样品温度控制与测量结构，其特征在于：样品通过夹具固定在可拆卸水冷样品台上，可拆卸水冷样品台前端真空室设有样品表面观察与测量窗口；热电偶穿过可拆卸水冷样品台的水冷底座和夹具，直接接触样品...
- 侯鹏飞程龙吕广宏袁悦
- 一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法
- 一种钨基柱状晶高熵合金面对等离子体材料及其制备方法属于核聚变能源应用领域。所述的钨基柱状晶高熵合金，具有(001)取向的柱状晶粒，晶粒尺寸为10‑70μm。各元素在高熵合金中所占原子百分比范围为：W 20～35％，Ta ...
- 袁悦孙钰涵王诗维程龙吕广宏
- 一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法
- 本发明涉及一种元素横向梯度的PFM薄膜成分含量计算方法，构建多元合金靶材和钨靶材的磁控溅射体系，计算时用多元合金靶材和钨靶材的质心来替代多元合金靶材和钨靶材，靶材与衬底的竖直距离为h，衬底的长度为l，钨靶材和多元合金靶材...
- 王浩袁悦程龙吕广宏
