您的位置: 专家智库 > >

靳涛

作品数:22 被引量:17H指数:2
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术医药卫生更多>>

文献类型

  • 22篇中文期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 8篇理学
  • 4篇核科学技术
  • 2篇医药卫生
  • 1篇机械工程
  • 1篇政治法律

主题

  • 6篇INP
  • 4篇射线
  • 4篇磷化铟
  • 4篇辐照效应
  • 4篇半导体
  • 3篇电子束
  • 3篇辐照
  • 3篇SIO
  • 3篇X射线
  • 3篇MOS结构
  • 2篇低能
  • 2篇电离室
  • 2篇软X射线
  • 2篇水凝胶
  • 2篇外推电离室
  • 2篇辐照损伤
  • 2篇SI
  • 2篇
  • 2篇FE
  • 2篇MOS器件

机构

  • 21篇中国科学院
  • 7篇新疆大学
  • 2篇济南大学
  • 2篇西北核技术研...
  • 1篇空军电讯工程...
  • 1篇山东医科大学
  • 1篇中国矿业大学
  • 1篇空军工程大学
  • 1篇新疆医学院
  • 1篇中国科学院新...
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇新疆分析测试...
  • 1篇新疆石油学院

作者

  • 22篇靳涛
  • 5篇杨志安
  • 5篇杨祖慎
  • 4篇郭旗
  • 3篇马忠权
  • 2篇范隆
  • 2篇穆拉提
  • 2篇杨志安
  • 2篇崔明启
  • 2篇戴慧莹
  • 2篇奎热西
  • 1篇高剑侠
  • 1篇姚育娟
  • 1篇刘师莲
  • 1篇戴慧莹
  • 1篇严荣良
  • 1篇黎刚
  • 1篇武光明
  • 1篇罗伊虹
  • 1篇沈志康

传媒

  • 9篇核技术
  • 2篇物理
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇北京同步辐射...
  • 1篇物理学报
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇新疆大学学报...
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇分析测试通报
  • 1篇新疆大学学报...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2002
  • 2篇2000
  • 3篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 5篇1992
  • 1篇1990
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
强脉冲X射线辐照Si-SiO_2界面对C-V和I-V特性曲线的影响被引量:1
2002年
利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低剂量率辐射结果不同 ;辐射后 ,感生 I-V曲线产生畸变 ;特别地 ,从 I-V曲线上还反映出强脉冲 X射线辐照的总剂量效应造成电特性参数明显退化 ,最后甚至失效。讨论了强脉冲 X射线辐照对 Si-Si O2 界面产生损伤的机理 。
杨志安靳涛杨祖慎姚育娟罗尹虹戴慧莹
关键词:MOS器件
同步辐射X射线吸收边辐照技术被引量:1
1995年
介绍了同步辐射X射线能量吸收边辐照技术原理和部分应用研究。简要阐述了单能软x射线辐射剂量参数的测量和计算方法。
靳涛
关键词:X射线辐照CT
经软X射线辐照的InP的表面损伤态
1999年
采用X光激发光电子能谱(XPS)对经同步辐射软X光辐照的InP表面进行了分析。实验结果表明:InP表面辐照损伤与辐照X光的能量及剂量有关,尤其是具有近P原子K壳层共振吸收能量的软X光辐照与其它X射线辐照相比,其结果有所不同。文中就实验结果的机制进行了初步探讨。
刘昶时靳涛武光明杨祖慎
关键词:软X射线辐照损伤
XW6012A型临床外推电离室剂量仪的研制
1992年
研制了一台供放疗临床使用的便携式外推电离室剂量仪。外推电离室室壁材料与组织等效,收集极名义直径为20 mm,极间距离可变范围为0.2—6 mm。配备有能控制外推电离室的智能化数字化剂量仪表,自动或手动完成全部剂量测定工作.并具有故障自诊以及误差自校等功能。适用于测量能量为0.5—20MeV、剂量率为0.02—40Gy/min的电子束、X和γ射线在组织等效材料表面和深部的吸收剂量。测量结果总不确定度小于2.7%。
靳涛王密吴进争郭旗冯德友欧雪林万平才
关键词:剂量仪外推电离室
电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应被引量:3
1994年
根据电子输运的“双群理论”计算出电子在Si-SiO2材料中的能量沉积.用与硅等效的外推电离室测定了1.0MeV和1.5MeV的电子束在MOS电容芯片中的吸收剂量.用X光电子谱(XPS)、俄歇谱(AES)、深能级瞬态谱(DLTS)和C—V方法测量分析了MOS电容Si-SiO2材料化学结构、界面态密度和C—V曲线在辐照前后的变化.根据理论和实验结果,从辐射剂量学的角度分析讨论了电子能量沉积、电离缺陷和辐射效应间的关系.并提出一个关于MOS结构电离辐射损伤机理的初步解释。
靳涛马忠权郭旗
关键词:电子束MOS系统
同步辐射单色X光照射量现场测量系统
1999年
为同步辐射单色X光照射量测量研制出自由空气电离室。设计了现场照射量测量的计算机系统。重点讨论了软X射线照射量的测量原理和计算方法。
靳涛吐而迪刘漪
电子束和β射线两用外推电离室
1992年
靳涛
关键词:电离室电子束Β射线
MOS结构电子、质子辐照感生缺陷的EPR测量被引量:1
2002年
利用电子顺磁共振 (EPR)技术测量了 (1 0 0 )晶向硅衬底材料上制作的 MOS电容在电子和质子辐照前后缺陷电子顺磁 (EPR)吸收谱 ,对比了电子和质子辐照前后缺陷顺磁中心浓度的变化 .结果表明 ,辐照前后带有单个未成对自旋电子的 Pb0 中心浓度未发生明显变化 ,电子与质子辐照均产生了新的中性体缺陷 ,电子辐照后观察到Pb1 中心的出现并随辐照注量增大 ,质子辐照后则未观察这一现象 .当质子辐照到 1 0 1 4p/ cm2时 ,引起部分体缺陷顺磁中心的消失 .电子辐照后 ,产生的体缺陷顺磁中心浓度则随辐照注量增大 ,表明电子与质子辐照作用机制的差异 ,质子辐照中位移效应和 H+的存在最可能是造成晶格缺陷消失和顺磁吸收消失的主要原因 .
范隆靳涛杨祖慎杨志安
关键词:MOS结构ERP质子
软X射线作用下的InP表面微结构
1997年
同步辐射软X射线(白光)对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示,样品表面电子态变化明显,P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显著增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。
靳涛奎热西
关键词:软X射线INP磷化铟半导体
同步辐射低能X射线的照射量测量与剂量计算
1998年
用自制自由空气电离室,在能量为2~12keV同步辐射光束线现场测量了单能X射线的电离量,依据X射线在空气中的传输和衰减特性及能量转移系数,计算了电离室入射口的照射剂量值。进而求出在空气中的相应比释动能和光子通量。讨论了软X射线照射量随能量的分布特性及混合能量X射线(白光)的照射量测量方法。
靳涛戴慧莹
关键词:低能X射线
共3页<123>
聚类工具0