袁苑
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 直流反应磁控溅射制备氧化铅薄膜被引量：2
- 2006年
- 通过直流反应磁控溅射的方法制备了氧化铅薄膜,并通过XRD和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对薄膜的晶体结构和光学性能进行了表征。我们发现,直流反应磁控溅射金属铅靶可以形成三种氧化铅薄膜,即非晶态PbO,正交晶系的-βPbO,以及四方晶系的Pb3O4。X射线衍射结果表明,衬底温度和氧气流量对薄膜的生长有很大的影响。当衬底温度小于300℃时,薄膜呈非晶状态,当衬底温度超过300℃时,薄膜开始结晶。另外,氧气流量的改变引起薄膜晶体结构的明显变化。当氧气流量较小时,薄膜为立方相结构的PbO;随着氧气流量的增加,薄膜的晶体结构发生改变,生成四方相结构的Pb3O4的薄膜。UV-Vis吸收谱测试结果表明,不同条件下制备的氧化铅薄膜的UV-Vis吸收谱明显不同。
- 胡彬彬季振国袁苑霍丽娟黄伟霞
- 关键词：氧化铅磁控溅射X射线衍射
- 利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分被引量：1
- 2008年
- 结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题。这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaNHEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本。
- 季振国冯丹丹席俊华毛启楠袁苑郝芳陈敏梅
- 关键词：X射线衍射无损检测
