鲍婕
- 作品数：5 被引量：12H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法
- 本发明公开了一种集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法，采用化学气相沉积或溶剂剥离方法制备单层、双层、少层的氮化硼烯和石墨烯，通过相应的转移技术，先后转移到功率芯片的局部热点上。以氮化硼烯作为电路的绝缘保...
- 刘建影鲍婕黄时荣袁志超张燕路秀真
- 文献传递
- 二维层状六方氮化硼在高功率电子器件中的绝缘散热应用研究
- 随着通信、汽车电子、消费类电子产业以及军事、航空航天领域对微电子产品的高性能、小型化、微型化、多功能化以及低成本的发展要求,电子器件及其应用在短短20年内已经成为了发展最快的领域。特征尺寸从微米降到纳米,同时在封装集成度...
- 鲍婕
- 关键词：六方氮化硼石墨烯散热电绝缘
- 文献传递
- 二维层状六方氮化硼在芯片散热中的应用被引量：10
- 2016年
- 层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3~5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果.
- 鲍婕张勇黄时荣孙双希路秀真符益凤刘建影
- 关键词：氮化硼散热
- 集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法
- 本发明公开了一种集成电路器件的导热复合材料层及电子器件导热结构封装方法，采用化学气相沉积或溶剂剥离方法制备单层、双层、少层的氮化硼烯和石墨烯，通过相应的转移技术，先后转移到功率芯片的局部热点上。以氮化硼烯作为电路的绝缘保...
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- 文献传递
- 新型BN／Ag二维层状复合材料的导热胶的制备及其导热性能的表征被引量：1
- 2015年
- 介绍了一种新型导热胶,该导热胶填充了负载了具有良好导热性的银颗粒的氮化硼薄膜,这种薄膜能极大地提高导热胶的散热性能。这种导热胶是一种常见的胶体,其主要由环氧聚合物组成。它的温度特性通过导热系数测定仪测量,伴随着填充物的增加,导热胶的导热系数也会逐渐提高。当填充物在导热胶中所占的质量分数为2.7%时,其导热系数提高到3.55 W/m·k,与没有填充物的导热胶相比导热系数提高20%,这对提高导热胶性能具有重要的意义,同时,实验结果通过仿真手段也得到了验证。
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- 关键词：氮化硼薄膜纳米银
