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张宏立

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 8篇电池
  • 8篇锂离子
  • 8篇锂离子电池
  • 8篇离子
  • 8篇离子电池
  • 7篇负极
  • 7篇负极材料
  • 5篇电池负极
  • 5篇锂离子电池负...
  • 4篇电池负极材料
  • 4篇锂离子电池负...
  • 4篇纳米
  • 4篇复合负极材料
  • 3篇FIB
  • 2篇电解质
  • 2篇电容量
  • 2篇碳管
  • 2篇碳热还原
  • 2篇碳质材料
  • 2篇炭纤维

机构

  • 10篇中国科学院金...

作者

  • 10篇张宏立
  • 9篇李峰
  • 7篇成会明
  • 7篇刘畅
  • 4篇闻雷
  • 3篇谭军
  • 2篇张旭刚
  • 2篇张勇
  • 2篇王作明
  • 2篇英哲
  • 2篇谢天生

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇2006年全...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2006
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备高容量锂离子电池负极材料的方法
本发明涉及可充电二次锂离子电池负极材料制备技术，提供了一种制备高容量锂离子电池负极材料的方法，本发明利用原位碳热还原反应和原位化学反应球磨技术制备利了均匀分散的金属氧化物/碳复合负极材料。本发明得到的复合负极材料能够显著...
成会明张宏立李峰刘畅闻雷英哲王作明
文献传递
一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法
本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术，具体为一种硅化物纳米带或纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基体表面于500～1500℃下发生分解反应，从而在金属基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米...
成会明张宏立李峰刘畅闻雷
文献传递
一种锂离子电池负极材料改性方法
本发明涉及一种锂离子电池负极材料改性方法，将需要改性负极材料添加催化剂均匀混合，催化剂占改性负极材料的重量百分比为0.1％－10％，将处理完毕的材料放入反应炉内，用碳氢化合物做碳源，与缓冲气体按比例混合，碳氢化合物与缓冲...
成会明张宏立李峰刘畅张旭刚张勇
文献传递
FIB技术辅助天然石墨球的固体电解质相界面膜表征
＜正＞天然石墨球是一种具有优良循环性能的锂离子电池负极材料,且在适当处理后具有较高的容量,因此近年来成为电池材料的研究热点。锂离子电池首次库伦效率、不可逆容量损失、环寿命都与天然石墨球固体电解质相界面膜（SEI）的形成和...
谭军张宏立李峰谢天生
文献传递
锂离子电池负极材料的制备、性能及电化学界面过程研究
锂离子电池具有工作电压高、能量密度大、循环寿命长、重量轻、自放电小、无记忆效应等突出优点，目前被广泛应用于各类便携式电子产品。随着锂离子电池应用领域的不断拓展，人们对其性能也提出了更高要求。为了获得性能优异的锂离子电池，...
张宏立
关键词：锂离子电池负极材料电化学性能
MCMB与PC基电解液的相互作用
The surface and cross section of a MCMB sphere that experienced the first discharge in PC-based electrolytes w...
张宏立李峰刘畅谭军成会明
关键词：MCMBSEI膜FIB
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FIB技术辅助天然石墨球的固体电解质相界面膜表征
2006年
谭军张宏立李峰谢天生
关键词：固体电解质FIB锂离子电池
一种制备高容量锂离子电池负极材料的方法
本发明涉及可充电二次锂离子电池负极材料制备技术，提供了一种制备高容量锂离子电池负极材料的方法，本发明利用原位碳热还原反应和原位化学反应球磨技术制备利了均匀分散的金属氧化物/碳复合负极材料。本发明得到的复合负极材料能够显著...
成会明张宏立李峰刘畅闻雷英哲王作明
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一种锂离子电池负极材料改性方法
本发明涉及一种锂离子电池负极材料改性方法，将需要改性负极材料添加催化剂均匀混合，催化剂占改性负极材料的重量百分比为0.1%-10%，将处理完毕的材料放入反应炉内，用碳氢化合物做碳源，与缓冲气体按比例混合，碳氢化合物与缓冲...
成会明张宏立李峰刘畅张旭刚张勇
文献传递
一种硅化物纳米带/纳米片的可控制备方法
本发明涉及可控制备硅化物纳米结构的技术，具体为一种硅化物纳米带或纳米片的制备方法。本发明通过向反应室内同时引入氯代硅烷与氢气在金属基体表面于500～1500℃下发生分解反应，从而在金属基体表面原位生长出硅化物纳米带或纳米...
成会明张宏立李峰刘畅闻雷
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