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王亚彬

作品数:3 被引量:7H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十九研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇湿敏
  • 2篇湿敏元件
  • 1篇电容
  • 1篇电容式
  • 1篇亚胺
  • 1篇直接键合
  • 1篇湿敏材料
  • 1篇退火
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇键合
  • 1篇键合强度
  • 1篇硅-硅直接键...
  • 1篇硅直接键合
  • 1篇感器
  • 1篇高温退火
  • 1篇保护层
  • 1篇保护膜
  • 1篇SDB
  • 1篇

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇王成杨
  • 3篇郑丽
  • 3篇王亚彬
  • 2篇金建东
  • 2篇司良有
  • 1篇王晓光
  • 1篇张鹏

传媒

  • 1篇信息技术
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合被引量:1
2015年
提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重叠,实现硅-硅键合。通过镜下检查和破坏性实验等方式分别对键合的效果和强度进行深入测试,并给出相应的实验效果图和测试结果。实验结果表明,采用新激活方法的键合界面无空洞且均一性良好,键合强度高,证明了新激活方法的可行性和优越性。针对高温键合工艺过程中容易产生空洞这一问题提出了新的解决方案。
王亚彬王晓光郑丽王成杨宋尔冬
关键词:表面态高温退火键合强度
降低高分子电容式湿敏元件湿滞的实验研究被引量:6
2015年
针对高分子电容式湿敏元件的湿滞无法通过后续电路完全实现补偿的问题,提出了从高分子电容式湿敏元件本身降低湿滞的方法。主要从制作工艺、湿敏材料的选择两方面进行了实验验证,并对制作完成的高分子电容式湿敏元件进行性能测试与数据分析。实验结果表明:通过控制制作工艺和对湿敏材料进行改性可以降低湿滞,湿滞优于1.5%RH。采用该方法制作的湿敏元件无需再次通过后续电路进行湿滞补偿。
郑丽金建东司良有王成杨张鹏王亚彬
关键词:湿敏元件湿敏材料
电容式聚酰亚胺湿敏元件保护膜研究被引量:1
2016年
采用49-1,PI-5,DOW184以及CAB551四种有机物作为湿敏元件的保护层材料,制作带有保护层的电容式湿敏元件,并对其湿度响应特性与耐污染能力进行研究。实验结果表明,49-1具有更好的综合性能,其湿滞变化为0.18%RH,涂覆后响应时间为11s,污染后初始容值变化为0.190p F,相比于无保护膜的湿度敏感元件变化值减小约20倍,具有良好耐污染特性。该层薄膜不仅起到了保护湿敏元件的作用,且可以降低湿敏元件在有机污染物中的漂移,提高电容式湿敏元件的稳定性。
王成杨王亚彬金建东郑丽司良有
关键词:传感器电容式保护层
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