赵强
- 作品数：25 被引量：88H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- LaNiO_3薄膜热稳定性的研究
- 2004年
- LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐,它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜,并进行了原位热处理。实验结果表明,在265°C的处理条件下,LaNiO3薄膜表现出不稳定性,晶格中的氧在2h内失去了2.7%。氧的损失对晶格结构没有明显影响,但薄膜的导电性能明显下降,折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。
- 赵强黄志明胡志高张晓东褚君浩
- 关键词：LANIO3
- 杂质对光学薄膜激光损伤阈值的影响被引量：27
- 1999年
- 通过对一系列１０６μｍＨｆＯ２／ＳｉＯ２全反膜样品进行的激光损伤阈值测试，以及二次离子质谱杂质含量测定的结果进行的比较分析，提出了减小膜系制备过程中杂质污染是提高光学薄膜激光损伤阈值行之有效的途径。将理论分析运用于具体生产实践中，获得了令人满意的结果。
- 胡海洋范正修刘晔赵强范瑞瑛黄日成
- 关键词：激光损伤阈值二次离子质谱光学薄膜
- 高强度激光薄膜的研制被引量：12
- 1999年
- 为提高激光薄膜的抗激光强度，实验研究了薄膜新材料、镀膜基体的表面粗糙度和洁净度，薄膜中的杂质污染，镀膜后的热处理。
- 范正修胡海洋范瑞瑛赵强刘晔黄日成
- 关键词：激光破坏激光预处理
- 金属单层膜的小角X射线衍射强度的研究被引量：3
- 1999年
- 本文对金属单层膜进行研究，在多种样品中没有发现Ｘ射线衍射峰．我们在基底上预先淀积一层重金属膜，然后再淀积所需样品，发现样品有较好的衍射峰产生．
- 冯仕猛易葵赵强汤兆胜范正修
- 关键词：X射线衬底单层膜衍射强度金属膜
- 高度择优取向(111)PbTiO_3薄膜的制备及光学特性
- 2002年
- 单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一 ,文中采用组合靶射频溅射在白宝石 (α- Al2 O3)衬底上制备出具有较好的 (111)择优取向的 Pb Ti O3薄膜。从薄膜的光学透射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型 ,由此得出了薄膜在 4 0 0～ 2 4 0 0 nm区域的折射率变化 ,在长波极限时薄膜的折射率为2 .5
- 赵强褚君浩范正修
- 关键词：铁电薄膜光学特性
- 用KrF准分子脉冲激光在低基板温度下制备AlN薄膜的研究被引量：2
- 2000年
- 用KrF准分子脉冲激光在 2 0 0℃的Si(111)基板上通过改变制备条件 ,采用沉积后直接保温处理的方式制备出了具有不同择优取向的AlN薄膜 ,并得出了较高的处理温度和过长的时间不利于AlN相的形成的结论。
- 赵强范正修WANGMingliKyung-KuYOONJae-GuKIMSeong-KukLEEKyung-HyunWHANG
- 关键词：激光沉积ALN薄膜
- 全文增补中
- 非尖锐界面多层膜对软X光衍射研究
- 1999年
- 本文研究超薄膜情况下，提出一个新物理模型，研究膜系内密度呈周期性连续变化时X射线正入射衍射强度理论计算，并由此得到水窗波段超薄膜设计参数，与用光学常数得到的参数非常一致．理论上推出一个质量密度呈余弦变化的多层膜仍然有高的软X光反射率．
- 冯仕猛易葵赵强汤兆胜范正修
- 关键词：多层膜
- LaNiO_3溅射薄膜的光学和电学特性的研究
- 2003年
- 采用LaNiO3陶瓷靶和射频磁控溅射技术在350℃的K9玻璃衬底上制备出了具有较好(100)择优取向的LaNiO3薄膜。通过对不同厚度薄膜的光学、电学以及薄膜结构等物理特性的测试分析,发现薄膜厚度小于100nm时为非晶结构,厚度大于150nm后出现了具有(100)择优取向的LaNiO3相。非晶结构的LaNiO3具有较高的面电阻和高的光学透射率,而晶化的LaNiO3薄膜具有类似于金属的导电能力和光学特性。薄膜的生长动力学和导电分析结果认为薄膜生长的初期会形成一个非晶过渡层。
- 赵强赖珍荃黄志明陈静褚君浩
- 关键词：射频溅射光学特性表面电阻
- 利用电介质保护膜提高铝镜和硅窗口的抗激光强度被引量：3
- 1996年
- 从加快热传导及其减小光能吸收两个方面入手，讨论了通过增镀介质膜提高铝镜和硅窗口的激光对抗能力的具体措施及其可行性。在１．０６μｍ红外激光与铜蒸气激光损伤实验中，经过加固的样品的损伤阈值均有所提高，从而验证了加固措施的合理性。
- 赵强范正修周东平范瑞瑛刘立明
- 关键词：激光损伤
- 组分和应力不均匀分布对薄膜铁电性的影响被引量：4
- 2000年
- 采用组合靶射频溅射的方法、制备后慢速降温的途径在（１１１）Ｓｉ基板上制备出了成膜较好的 ＰｂＴｉＯ３薄膜。通过测试分析发现在薄膜中形成了一个缓解应力的过渡层，薄膜中的Ｐｂ、Ｔｉ组分比沿着薄膜生长的方向成非线性增长，并在薄膜表面形成一个富Ｐｂ层，薄膜的Ｃ－Ｖ特性曲线中存在负方向的位移和畸变。结合实验结果对薄膜的生长机理进行了探讨，并且对薄膜中的应力和不均匀分布的组分对薄膜铁电特性的影响进行了理论上的分析，而且与实验取得了一致的结果。
- 赵强汤兆胜冯仕猛范正修
- 关键词：应力铁电
