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邹平

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:北京科技大学更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇退火
  • 1篇热电材料
  • 1篇热电性能
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇N型
  • 1篇GD掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇高性能
  • 1篇SE

机构

  • 2篇北京科技大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 2篇张艳华
  • 2篇徐桂英
  • 2篇邹平
  • 1篇牛四通
  • 1篇姜华伟
  • 1篇张春燕
  • 1篇吴晓峰
  • 1篇陈廷杰
  • 1篇张国鹏
  • 1篇王永超
  • 1篇王松

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
退火对高压烧结Gd掺杂Bi_2Te_(2.7)Se_(0.3)纳米晶热电性能的影响被引量:4
2015年
以Bi粉、Te粉、Se粉、Sb I3粉、Gd粉为原料,用高压烧结法制备了Gd掺杂的n型Bi2Te2.7Se0.3热电材料,对制备的样品分别在573、603、633 K真空退火36 h。用粉末XRD和FE-SEM研究了样品的物相及显微形貌;在298-473K范围内测定了样品的热电性能。建立了Bi2Te3基材料的禁带宽度与压力和体积的近似关系式,利用此关系式较好解释了高压烧结样品在退火前后热电性能的变化特性。研究结果表明制备的样品在退火前后均为纳米结构。高压烧结和Gd掺杂使样品晶胞尺寸变大,禁带宽度减小。退火使高压烧结样品的电导率提高,塞贝克系数增大,热导率降低。样品于633 K退火36 h后具有较好的热电性能,在423 K时其ZT达到最大值为0.74。
徐桂英邹平王松张艳华
关键词:退火热电性能
高性能温差电材料制备工艺研究
徐桂英牛四通陈廷杰何功吴晓峰姜华伟张春燕张艳华张国鹏王永超邹平
任务来源:国家纳米"863"项目"热电纳米材料及其在温差电池上的应用,课题编号:2002AA31(2002年)"的延伸.应用领域和技术原理:各类热源,包括各类余热废热温差发电;涉及无机材料制备科学技术领域,引发了半导体温...
关键词:
关键词:半导体材料
共1页<1>
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