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小型化锶原子束系统的研制: 2015年; 通过实验完成了对锶原子束锁频系统的小型化研制,系统的长度由85 cm小型化至45 cm,真空腔窗口的直径由35 mm减至16 mm,真空管法兰接口的规格CF35换成了CF16。采用激光诱导荧光的方法测量小型化系统热原子束的原子通量。通过对探测器响应效率的测量,将对荧光功率的测量转化成探测器响应电压的测量。由于原子通量与荧光功率成正比例关系,因此进而得到热原子束的原子通量。实验测得该小型化系统的原子通量满足锶原子光晶格钟实验需求。; 付理想谢玉林韩建新常宏张首刚; 关键词：小型化

锶原子互组跃迁荧光谱及其特性的研究: 2019年; 真空锁频系统是实现激光稳频的重要组成部分,在该系统中产生高分辨互组跃迁荧光谱((5s2)1S0→(5s5p)3P1)是分析原子谱线相关特性及精确测量跃迁频率等参数的前提。本文通过将装载有毛细管的准直器置于锶炉内,从源头减小原子束的发散角,将原子束的发散角减小至3.1 mrad。即减小原子束的横向速度,进而减弱光与原子作用的一阶多普勒频移,实验最终得到分辨率较高且线宽为26 MHz的互组跃迁荧光谱。锶原子互组跃迁荧光谱特性的相关研究对于光晶格原子钟锁频系统的建立具有重要意义,因此本文从实验上探讨并分析了锶炉温度和激光光强等因素对互组跃迁荧光谱的影响。; 胡福云雷贵韩建新常宏谢玉林

锶原子二级Doppler冷却及温度的测量被引量：6: 2015年; 为了减小锶原子跃迁谱线的多普勒增宽及频移,需要对锶原子进行激光冷却以降低它的速度,而一级冷却只能将原子温度降低至mK量级,这样的原子其速度过大而无法有效地装载至光晶格中,因此必须进行二级冷却。锶原子存在单重态与三重态(5s2)1S0→(5s5p)3 P1间互组跃迁,利用与其跃迁波长在689nm的窄线宽激光对锶原子进一步冷却,可将锶原子团温度降低至μK量级。利用时序有效、准确地控制磁场和光场与原子相互作用时间,通过飞行时间法对锶冷原子温度进行了测算。实验中应用计算机精确控制磁光阱区域中冷原子团下落时间,EMCCD记录冷原子团初始时刻和下落20 ms后的状态。经过分析计算二级冷却温度为4.39μK,不确定度仅为0.19μK,二级冷原子团数目约为1.2×107。低温二级冷却锶原子温度及原子数目的获得为锶光钟跃迁信号的信噪比估计提供实验参考,也是实现高精度时间频率标准的前提。; 谢玉林卢本全刘辉王叶兵常宏; 关键词：飞行时间温度

用于锶原子光钟永磁体塞曼减速器设计被引量：3: 2014年; 研究用于锶原子光钟的永磁体塞曼减速器,根据实验条件计算88Sr原子束塞曼减速器的磁场分布,将起始速度为410 m/s的锶原子减速至50 m/s,经过横向磁场的原子通量为7.9×105。基于永磁体制作的塞曼减速器,可靠性高、体积小、重量轻,磁场分布可调,而且无需高电流和水冷装置,实现了永磁体塞曼减速器的小型化。; 谢玉林卢本全王叶兵常宏; 关键词：原子冷却多普勒频移

锶原子四种自然同位素互组跃迁频率的精密测量: <正>我们对自然界中四种锶的同位素(88Sr(82.58%),87Sr(7.0%),86Sr(9.86%),84Sr(0.56%))的互组跃迁频率进行了精密测量。采用PDH技术将689nm半导体激光器锁定在精细度为120...; 刘辉高峰王叶兵田晓任洁卢本全徐琴芳谢玉林常宏; 文献传递

碱土金属中重泵浦光对单态能级冷却影响的理论及实验研究: <正>在基于碱土金属锶原子的光学原子钟中,单态11P上的原子会通过亚稳态跃迁至三重态23P态和13P态,其中13P态原子可以通过自发辐射回到基态,而23P态为亚稳态而使原子不能回到基态并导致MOT中原子的损失。为使23P...; 任洁刘辉王叶兵卢本全谢玉林常宏; 文献传递

利用Doppler测速法实现小发散角锶原子速度分布的测量被引量：2: 2016年; 锶光钟小型化系统中,利用Doppler测速法对小发散角锶原子的速度分布进行了测量。从锶炉喷出原子束的最可几速率为440 m/s,经过永磁体塞曼减速器减速后原子的速度最低可降低至80 m/s。验证了在原子行进过程中设置的减速磁场即永磁体塞曼减速器,能够对原子进行有效减速,进而提高俘获冷原子的数目。实验中采用的Doppler测速法装置简单,易于操作,可直接探测原子束的速度分布曲线。; 谢玉林韩建新卢本全常宏

用于光钟的表面等离激元磁性器件设计: 2015年; 在时间的精确测量领域,超冷原子光晶格钟具有最佳的精确性和稳定性;其中的磁性器件至关重要。本文依据光钟系统微型化的切实需要,利用表面等离激元效应对局部电磁场的增强效应,设计了微型磁性器件,并对器件的电磁性能做了理论分析和数值模拟。; 任铁未卢本全谢玉林常宏张首刚; 关键词：光钟表面等离激元磁性器件

Y_2O_3改善HfO_2高k栅介质Ge MOS电容的电特性及可靠性: 2017年; 以Y_2O_3薄膜作为夹层,采用磁控溅射法制备了HfO_2/Y_2O_3叠层高k栅介质Ge MOS电容,并对其电特性及高场应力特性进行了仔细研究。结果表明,Y_2O_3夹层能显著地改善Ge MOS器件的界面质量、k值、栅极漏电流特性、频率色散特性和器件可靠性。因此,HfO_2/Y_2O_3/Ge MOS电容表现出较低的界面态密度(6.4×1011 eV^(-1)cm^(-2))、较高的k值(21.6)、较小的栅极漏电流密度(Vg=1V+Vfb时,Jg=1.65×10^(-6) A·cm^(-2))、极小的频率色散以及良好的器件可靠性。其机理在于Y_2O_3夹层能充当阻挡层角色,有效地阻挡了Hf、O与Ge的相互扩散,从而抑制了不稳定低k GeO_x夹层的生长。; 徐火希谢玉林

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谢玉林