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谷冰川

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学核科学技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 5篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇热电材料
  • 1篇电子态
  • 1篇斩波
  • 1篇斩波器
  • 1篇正电
  • 1篇正电子寿命
  • 1篇正电子寿命谱
  • 1篇正电子湮没寿...
  • 1篇数字化
  • 1篇能谱
  • 1篇氘化
  • 1篇芯片
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲束
  • 1篇晶体
  • 1篇聚束器
  • 1篇计数率
  • 1篇放射源

机构

  • 6篇中国科学技术...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 6篇谷冰川
  • 4篇叶邦角
  • 3篇刘建党
  • 1篇张丽娟
  • 1篇张传超
  • 1篇孔伟
  • 1篇廖威
  • 1篇成斌
  • 1篇袁晓东
  • 1篇方佳节
  • 1篇翁惠民

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
热电材料电子态调控及其影响的正电子表征
能源短缺和环境问题的日益突出迫切需要减少化石燃料的燃烧和废热的回收利用。热电材料可以将废热直接转换成电能,是新型功能材料科学研究中的热点,并在高品质清洁能源领域具有广阔的应用前景。热电材料主要通过固体内部载流子运动实现热...
刘建党谷冰川方佳节叶邦角
氘化对KH_2PO_4晶体微观缺陷影响的正电子湮没研究
2015年
采用传统降温法从不同程度氘化(x=0,0.51,0.85)的生长溶液中生长氘化KH2PO4(KDP)晶体,利用正电子湮没技术(正电子寿命谱和多普勒展宽谱)、结合X射线衍射谱(XRD)结构分析,对KDP晶体氘化生长的微观缺陷进行了研究,讨论了氘化程度对晶体内部微观结构特性、缺陷类型和浓度的影响.XRD结果显示晶胞参数a,b值随氘含量的增加而增加,c值无明显变化;正电子寿命谱结果发现随着氘化浓度的提高,KDP晶体内部中性填隙缺陷以及氧缺陷不断增加,引起晶体晶格畸变;氢空位、K空位、杂质替位缺陷不断发生缔合反应形成复合缺陷,缺陷浓度不断减少;团簇、微空洞等大尺寸缺陷也在不断发生聚合反应,缺陷浓度表现为不断减少.多普勒实验结果表明随着氘化程度的提升,晶体内部各类缺陷表现为同步变化.实验结果表明,KDP晶体在低浓度氘化生长(50%以内)下缺陷反应较弱,而在高浓度氘化(50%以上)下的缺陷反应显著增强.
张丽娟张传超廖威刘建党谷冰川袁晓东叶邦角
关键词:正电子湮没氘化
正电子湮没寿命谱中的新分析方法、脉冲束技术和应用
现代材料科学领域的研究常常围绕着三个重要问题,材料的物理化学性质,材料的微观结构和材料的制备合成。其中材料的微观结构决定了它的宏观特性,多年以来,人们付出了诸多努力来探寻和理解材料结构与其性质之间的关联,并发展出了各种探...
谷冰川
关键词:正电子湮没寿命谱热电材料
文献传递
基于DRS4的高计数率正电子湮没谱仪的发展
传统的正电子寿命谱仪,造价昂贵,结构复杂,包括一对闪烁体探测器、两个恒比定时器(CFD)、一个时幅转换器(TAC)、一个多道分析器(MCA).然而传统正电子寿命谱仪的性能,被其所使用的模拟电路设备所限制.伴随着电子学和数...
郭俊清成斌谷冰川叶邦角
关键词:正电子
基于放射源的脉冲慢正电子束装置的研制
<正>脉冲慢正电子束谱仪是目前正电子湮没谱学领域较为先进的技术之一。与常规慢正电子束谱仪相比,正电子经过脉冲化后可以给出正电子湮没的时间信息,进而得到薄膜材料中正电子湮没的寿命信息,是进行材料表面研究的重要探针。我们研制...
谷冰川刘建党孔伟翁惠民叶邦角
文献传递
利用PMT脉冲幅度修正寿命谱以补偿定时系统误差
正电子湮没寿命谱学(positron annihilation lifetime spectroscopy)是对材料纳米尺度缺陷进行无损检测的有效手段。对于我们的LaBr3闪烁体寿命谱仪而言,与理想情况不同,受制于探测器...
丛龙瀚谷冰川郭俊清叶邦角
关键词:正电子寿命谱能谱
共1页<1>
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