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Al_2O_3空心球对凝胶注模制备多孔Si_3N_4陶瓷微观组织与力学性能的影响: <正>本文采用Si_3N_4(平均粒径<0.5 um,α相>94%)粉体,烧结助剂Y_2O_3(平均粒径为40 nm,纯度>99.99%)和Al_2O_3(平均粒径30 nm,纯度>99.99%),增塑剂聚丙烯酰胺,单体...; 王鹏举吴玉萍应国兵田宝娜王乘; 文献传递

Ta_2AlC–Ta_4AlC_3复合材料放电等离子烧结制备与力学性能被引量：2: 2019年; 以Ta粉、Al粉、TaC粉末为原料,针对摩尔比n(Ta):n(Al):n(TaC)=1:1.4:1的体系额外加入质量分数分别为10%、20%、30%的TaC粉末,利用放电等离子烧结(SPS)法原位合成Ta_2AlC陶瓷复合材料。结果表明:摩尔比为n(Ta):n(Al):n(TaC)=1:1.4:1的体系可以合成高纯度Ta_2AlC陶瓷,并随着TaC含量的增加,体系中Ta_4AlC_3不断增多,表明Ta_2AlC与TaC高温下发生反应转变成Ta_4AlC_3。SPS法可以制备出细晶Ta_2AlC–Ta_4AlC_3复合材料,Ta_4AlC_3含量的变化可以显著改变材料的力学性能,添加20%TaC制备的Ta_2AlC–Ta_4AlC_3复合材料力学性能最为突出,其弯曲强度、压缩强度、断裂韧性分别为753.84 MPa、1 029.55 MPa和7.65 MPa·m1/2,细晶强化和复合材料中同类的MAX第二相相互交叠强化是Ta_2AlC–Ta4Al C3复合材料具备高力学性能的主要原因。; 马凤辰应国兵宿琳张晨骆鸿戴中华王香王乘; 关键词：放电等离子烧结物相组成力学性能

三元纳米层状Ta_2AlC陶瓷原位合成机制: <正>本文以Ta粉(初始平均粒径75μm,纯度≥99.0%,350r/min真空球磨20h),Al粉(平均粒径29μm,纯度≥99.0%)和炭黑粉(平均粒径45μm,纯度>99.0%)为原材料,按摩尔比2:1.4:1称量...; 田宝娜应国兵王鹏举王乘吴玉萍; 文献传递

凝胶注模技术制备高强度多孔氮化硅陶瓷被引量：14: 2014年; 采用凝胶注模技术和无压烧结工艺制备高孔隙率、高强度多孔氮化硅陶瓷。研究了浆料固相含量对多孔氮化硅陶瓷坯体相对质量损失和收缩率的影响,测定了材料在烧结前后的物相组成,分析了浆料固相含量对多孔氮化硅陶瓷显微结构、孔隙率、弯曲强度及断裂韧性的影响。结果表明:随浆料固相含量增大,坯体相对质量损失率和收缩率减小,烧结后的多孔氮化硅陶瓷孔隙率由65.24%减小到61.19%;而弯曲强度和断裂韧性分别由93.91MPa和1.48MPa·m1/2提高到100.83MPa和1.58MPa·m1/2。长棒状β-Si3N4晶粒无规律的交错搭接和相互咬合是多孔氮化硅陶瓷在保持高孔隙率的同时具有高强度的主要原因。; 王鹏举吴玉萍应国兵田宝娜王乘李嘉赵海伟; 关键词：凝胶注模多孔氮化硅陶瓷孔隙率

高孔隙率多孔氮化硅构件较高马赫数下流-热-固耦合力学特性分析: 2017年; 以凝胶注模技术制备的固相含量为40%、45%、50%(质量分数,下同),孔隙率高达65.24%、63.26%、61.19%的多孔氮化硅天线罩材料作为研究对象。将测得的材料性能参数作为有限元分析模拟的数据支撑,构件模型载体选择正切尖拱形,使用FLUENT模拟流场,结构场采用ANSYS软件,热力耦合得到不同固相含量的材料在不同马赫数下流-热-固耦合后的热应力强度,对其力学特性进行分析。结果表明,较高马赫数下的飞行构件的尾部连接端是受热应力最大的部位,也是失稳较为严重的部位。飞行构件的结构稳定性需通过加固尾部连接端来提高;气动热是引起天线罩构件失稳的首要问题,解决结构失稳的关键在于解决气动热,可通过在天线罩构件外增加耐热隔层,使其免受气动热;多孔氮化硅材料的孔隙率与失稳时对应的马赫数成正比,热导率是影响多孔氮化硅天线罩构件在较高马赫数下受到热应力大小的关键因素。; 张晨应国兵王乘王鹏举田宝娜韩建兴王香; 关键词：多孔氮化硅力学特性

Al_2O_3空心球含量对多孔Si_3N_4陶瓷微观组织及力学性能的影响被引量：1: 2015年; 采用凝胶注模成型技术和无压烧结工艺,通过调节Al_2O_3空心球添加量,成功制备出了性能优异的多孔Si3N4陶瓷。在保持固相含量为50%(质量分数)的基础上,研究了Al_2O_3空心球含量对多孔Si3N4陶瓷材料的孔隙率、物相组成和微观组织结构的影响,分析了力学性能与组织结构之间的关系。结果表明,通过改变Al_2O_3空心球的含量,制备得到孔隙率介于44.98%~51.02%的多孔Si3N4陶瓷:随着Al_2O_3空心球含量的增加,多孔Si3N4陶瓷的孔隙率先减小然后稍有增大,而弯曲强度和断裂韧性则先增大后减小,分别存在最大值(125.1±3.6)MPa和(2.38±0.07)MPa·m1?2。; 王鹏举吴玉萍应国兵田宝娜王乘; 关键词：凝胶注模多孔氮化硅陶瓷孔隙率

三元纳米层状Ta_2AlC原位合成机制被引量：4: 2015年; 利用自蔓延高温合成/原位反应法制备了Ta2AlC陶瓷材料,研究了预热温度和不同铝含量对试样物相组成和微观组织结构的影响。采用X射线衍射分析试样的物相组成;采用SEM观察材料的微观组织结构;借助DSC测试分析,结合反应产物、可能的中间产物及体系吸放热探讨了Ta2AlC的合成机制。研究表明,250℃的预热温度环境下有利于充分反应生成高纯度的Ta2AlC;适当过量的Al有利于各元素扩散,从而提高合成的Ta2AlC纯度;利用自蔓延高温合成Ta2AlC时,Al先熔化为液相,继而Ta与C分散到液态Al中发生反应并放出大量的热量,引发Ta与Al反应生成Ta-Al金属化合物,促使生成的Ta2C与Al或TaC与Ta-Al金属化合物发生反应生成Ta2AlC。; 田宝娜应国兵王鹏举王乘吴玉萍; 关键词：物相组成

放电等离子烧结制备高纯Ta_(2)AlC陶瓷及其高温氧化行为被引量：1: 2021年; 以Ta粉、Al粉和炭黑粉为原料,利用自蔓延高温合成、无压烧结和放电等离子烧结组合工艺,成功制备了高纯Ta_(2)AlC块体陶瓷,研究了放电等离子烧结制备的Ta_(2)AlC块体的微观形貌与性能。制备的Ta_(2)AlC块体的硬度、弯曲强度和断裂韧性分别为5.6 GPa、510 MPa和6.16 MPa·m^(1/2)。放电等离子烧结工艺升温速率快、烧结时间短、制备的陶瓷晶粒细小,细晶强化效果明显,使得块体陶瓷有明显的高硬度和强度。Ta_(2)AlC陶瓷在700~900℃空气中恒温氧化时,表现出线性氧化动力学特征,氧化层的主要成分从700℃的Ta_(2)O_(5)逐渐转变成800~900℃时的Ta_(2)O_(5)和AlTaO_(4)。; 胡聪应国兵刘璐孙铖文栋张建峰张晨王香王乘; 关键词：放电等离子烧结

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王乘