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C_2H_2/N_2气流下nc-ZrCN/a-CN_x薄膜成分、结构和力学性能的研究被引量：1: 2015年; 采用磁过滤阴极真空弧技术(FCVA),以金属Zr为阴极靶,通入不同流速的C_2H_2和N_2气体(两者比例保持为1∶1),在单晶Si(100)晶面上制备nc-ZrCN/a-CN_x纳米复合薄膜。采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、X射线电子能谱(XPS)和拉曼散射能谱(Raman)多种材料分析技术研究薄膜的成分和结构。实验结果表明:薄膜是由两种相结构组成,分别为ZrCN纳米晶相(nc-ZrCN)和非晶相(a-CN_x);结构是由平均晶粒尺寸为5~12nm的nc-ZrCN弥散于非晶相a-CN_x中。纳米晶相nc-ZrCN中键态为Zr-C和Zr-N,非晶相aCN_x中键态为C-C,C=C和C-N。利用表面形貌仪(SM)和纳米力学探针(Nanotest)测量了薄膜的内应力、硬度和约化模量等力学性能。分析发现:薄膜中sp3和sp2的含量比(sp3/sp2)越大,内应力越大,内应力最大可达11.5GPa。ZrCN纳米晶粒细化和高的sp3/sp2含量比会提高薄膜的硬度和约化模量。当气流在15~35ml·min^(-1)范围时,薄膜具有很高的硬度和约化模量。当气流为25ml·min^(-1)时,硬度可达35.1GPa,约化模量达297.2GPa。; 周福增伏开虎张旭廖斌于晶晶

基于原子发射光谱的TiC等离子体沉积诊断: 对通过磁过滤阴极真空弧(FCVA)获得的高密度、高离化率的等离子体进行诊断.为研究C2H2气流量对磁过滤阴极弧产生的等离子体的影响,采用原子发射光谱(OES)法对FCVA沉积过程中产生的TiC等离子体进行诊断.利用Sah...; 周晗周福增伏开虎黄杰陈琳廖斌张旭; 关键词：原子发射光谱; 文献传递

基于原子发射光谱的TiC等离子体沉积诊断: 2015年; 对通过磁过滤阴极真空弧(FCVA)获得的高密度、高离化率的等离子体进行诊断。为研究C2H2气流量对磁过滤阴极弧产生的等离子体的影响,采用原子发射光谱(OES)法对FCVA沉积过程中产生的Ti C等离子体进行诊断。利用Saha-Boltzmann方法对不同气流量下等离子体的参数进行计算,并对等离子体产生过程中的谱线强度随气流量变化的机制进行研究。结果表明,等离子体电离度较高,约为0.8左右且随气流量的变化不大;电子温度和电子密度分别在1×10~4～2×10~4K和10^(23)～10^(24)m^(-3)范围内变化,且随着气流量的增加呈现出先增大后减小的变化趋势;Ti粒子谱线相对强度随气流量的变化不大,表明Ti粒子大部分在阴极弧斑附近被离化。; 周晗周福增伏开虎黄杰黄杰陈琳陈琳; 关键词：原子发射光谱等离子体诊断

热氧化法在泡沫铜上制备CuO纳米线及其光催化性能研究被引量：9: 2016年; 采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维Cu O纳米线（Cu O NWs）阵列;利用扫描电镜（SEM）,X射线衍射仪（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对Cu O NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征。重点研究了不同氧化温度对Cu O NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制。结果表明：Cu O NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu2O平均晶粒尺寸增大而减小,Cu O NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落。同时也研究了Cu O NWs阵列光催化降解甲基橙的能力。结果表明：Cu O NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%。; 于晶晶廖斌张旭周福增伏开虎吴先映; 关键词：热氧化法 CU 光催化降解甲基橙

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周福增