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黄强

作品数:10 被引量:0H指数:0
供职机构:桂林电子科技大学更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 2篇低污染
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔碳
  • 2篇塞贝克系数
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇疏水
  • 2篇疏水性
  • 2篇热电材料
  • 2篇热电性能
  • 2篇席夫碱
  • 2篇可重复性
  • 2篇糊精
  • 2篇环糊精
  • 2篇功率因子
  • 2篇Β环糊精
  • 2篇壁面
  • 2篇
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...

机构

  • 10篇桂林电子科技...

作者

  • 10篇黄强
  • 7篇孙立贤
  • 7篇徐芬
  • 5篇张颖
  • 2篇刘呈燕
  • 2篇邹勇进
  • 2篇向翠丽

年份

  • 1篇2023
  • 6篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2014
  • 1篇2011
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
无线传感器网络的无序信息融合研究
无线传感器网络集信息采集、传输和处理技术于一体,被认为是21世纪最有影响力的技术之一,具有巨大的发展潜力。信息融合技术对于无线传感器网络至关重要,有助于无线传感器网络节省能量,提高网络数据收集效率和信息可靠性。由于无线传...
黄强
关键词:无线传感器网络信息融合无序量测模糊聚类
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一种复合材料化工作业平台
本实用新型公开了一种复合材料化工作业平台,涉及化工设备领域。一种复合材料化工作业平台,包括支撑杆,支撑杆外侧壁面上端安装有夹板,且夹板顶端安装有主管,主管右侧连通有净化装置,且净化装置前端连通有入水管,净化装置左侧安装有...
孙志海黄鹏儒植慧茵黄强张颖李子源彭乐宇徐芬孙立贤
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一种含氧g-C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米片光催化剂的制备方法和应用
本发明公开了一种含氧g‑C<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>纳米片光催化剂的制备方法,包括如下步骤:1)一定质量比的二氰二胺和氯化铵加入水中进行分散溶解,并在80℃的条件下水浴加热直至得到干燥的粉末状混合...
黄鹏儒张颖黄强孙志海彭乐宇李子源徐芬孙立贤
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一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用
本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精‑石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过...
黄鹏儒刘佳溪张玺黄强邹勇进向翠丽孙立贤徐芬陈同祥
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一种SnTe掺Ge热电材料及其制备方法
本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法,包括步骤1,SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2,SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用,在823 K的温度下,塞贝克系数高达126‑129µVK...
黄鹏儒黄强孙志海张颖彭乐宇李子源张忠玮刘呈燕徐芬孙立贤
一种疏水性席夫碱钴@β环糊精-石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用
本发明涉及一种疏水性席夫碱钴@β环糊精‑石墨烯多孔碳复合材料的制备及应用。该方法采用均相反应釜、醇热法合成了疏水性5‑氯水杨醛缩二氰二胺席夫碱钴金属配合物,然后与疏水性β环糊精形成包合物,并与氧化石墨烯稳定交联,最后经过...
黄鹏儒刘佳溪张玺黄强邹勇进向翠丽孙立贤徐芬陈同祥
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金属掺杂对Al基配位氢化物及MgH2储氢性能的第一性原理研究
探索高效、安全和可逆性好的储氢材料是实现“氢经济”的重要环节,铝基配位氢化物和镁基金属氢化物具备储氢质量密度大、生产价格低廉等优异特点,作为氢气的载体被广泛研究。但是,铝基配位氢化物具有较高的热稳定性,氢化镁由于具有较高...
黄强
关键词:第一性原理储氢技术
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FRFT在Chirp解调中的应用与性能分析
分数阶傅立叶变换(Fractional Fourier Transform, FRFT)是普通傅立叶变换的推广,其实质是信号的一种时频表示。而Chirp信号在适当的分数阶变换域中具有能量聚集特性,这种聚集性有利于 Chi...
黄强
关键词:分数阶傅立叶变换CHIRP信号非相干解调多址方式
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一种储能材料的切割装置
本实用新型公开了一种储能材料的切割装置,涉及材料切割领域。一种储能材料的切割装置,包括工作控制机,工作控制机后侧安装有切割机体,且切割机体底面滑动连接有移动装置,切割机体两侧端面安装有挡板,且挡板内侧卡装有工作平面,工作...
黄鹏儒孙志海植慧茵黄强张颖李子源彭乐宇徐芬孙立贤
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一种SnTe掺Ge热电材料及其制备方法
本发明公开了一种SnTe掺Ge热电材料的制备方法,包括步骤1,SnTe掺Ge热电材料的熔炼和步骤2,SnTe掺Ge热电材料的烧结。一种SnTe掺Ge热电材料的应用,在823 K的温度下,塞贝克系数高达126‑129µVK...
黄鹏儒黄强孙志海张颖彭乐宇李子源张忠玮刘呈燕徐芬孙立贤
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