卢俊峰
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：扬州大学物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- ZnS一维纳米材料的制备及光学性质研究
- S 作为宽禁带半导体材料(纤锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.77eV,闪锌矿结构的ZnS 材料禁带宽度为3.72eV),已在紫外激光器、传感器、光电探测器等广泛应用.ZnS纳米线、纳米带表现出与块体材料不同的光电特性...
- 卢俊峰曾祥华张伟
- 关键词：ZNS纳米线纳米带PL
- 不同电极形状GaN基蓝光LED的γ辐照效应
- 2013年
- 通过γ辐照和电流加速老化的方法研究环形、旋转形、中心环绕形、树形等4种电极芯片的抗辐射性能.结果表明:与环形电极相比,3种新型电极的抗辐射性能较好;随着辐照剂量的增加,环形电极的工作电压明显高于3种新型电极,而且辐照后环形电极的主波长和峰值波长红移现象明显,光通量和发光效率衰减更加明显;老化实验得知γ辐照后新型电极的寿命优于环形电极;通过对发光二极管(LED)芯片的电极进行优化,不仅可以减少电流的拥挤效应,而且可提升芯片的抗辐射性能,延长LED器件的使用寿命.
- 王秀茜卢俊峰董雅娟张俊兵宋雪云曾祥华
- 关键词：GAN基发光二极管Γ辐射
- ZnS纳米结构的制备及光学性质研究
- S作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表现出与块体材料不同的特征,已引起了广泛的关注.
- 曾祥华张伟卢俊峰
- 关键词：ZNS纳米线纳米带
- ZnS、CdS低维结构材料及其光学性质
- 采用不同的制备手段,并通过控制反应条件可以对低维结构的材料进行调控生长,得到尺寸几个纳米的量子点以及几十至几百纳米的纳米线、纳米带、纳米丝,得到在平面内同质的ZB/WZ的ZnS纳米带超晶格.这些不同的纳米结构,表现出不同...
- 曾祥华胡川卢俊峰张伟崔接亚
- PLD法制备ZnS薄膜及其发光性能研究
- S是一种重要的直接带隙半导体材料,禁带宽度为3.72～3.77eV,在太阳能电池、LED等光电方面有广泛地应用.ZnS具有良好的光学性能,但其发光机制尚缺乏系统性的理论基础.脉冲激光沉积法(PLD)具有沉积速率快、能保持...
- 张伟曾祥华卢俊峰
- 硫化锌超晶格结构及其光电性质
- 利用脉冲激光沉积技术在蓝宝石上衬底上交替沉积了ZnS/(CdS/ZnS)n(n=2,4,8),通过结构、形貌分析,100℃低温沉积的超晶格结构为六方相结构,其中ZnS和CdS层的厚度分别为30纳米和60纳米,透光率超过8...
- 曾祥华张伟卢俊峰
- 关键词：超晶格脉冲激光沉积拉曼谱PL谱
