雷志锋
- 作品数：57 被引量：64H指数：5
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广州市科技计划项目中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 多位翻转检测方法和系统
- 本发明涉及一种多位翻转检测方法和系统，所述方法包括：获取待测器件的发生信息翻转的存储地址的物理地址、所述存储地址的翻转信息和所述翻转信息的读取时间，生成各所述存储地址对应的物理地址、翻转信息和读取时间；判断所述待测器件的...
- 张战刚雷志锋岳龙恩云飞
- 文献传递
- LDO单粒子闩锁效应及维持电流的特性研究被引量：3
- 2020年
- 针对一种LDO,研究了重离子Cl、Ge辐照触发的单粒子闩锁(SEL)效应。实验结果表明,输入1.8 V时,SEL电流范围为850~950 mA;输入3.3 V时,SEL电流范围为6.2~6.4 mA。随着限制电流值的增高,退出SEL的时间逐渐增大,最终无法退出。该LDO的SEL维持电流范围为350~400 mA,可通过正常工作电流和允许的中断时间来选择合适的限制电流值。
- 夏鹏杨少华杨少华吴福根雷志锋
- 关键词：单粒子效应维持电流LDO
- 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究被引量：1
- 2018年
- 基于^(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.
- 彭超恩云飞李斌雷志锋张战刚何玉娟黄云
- 关键词：绝缘体上硅总剂量效应寄生效应
- 基于蒙特卡洛和器件仿真的单粒子翻转计算方法被引量：2
- 2014年
- 文章提出了一种基于蒙特卡洛和器件仿真的存储器单粒子翻转截面获取方法,可以准确计算存储器单粒子效应,并定位单粒子翻转的灵敏区域.基于该方法,计算了国产静态存储器和现场可编程门阵列(FPGA)存储区的单粒子效应的截面数据,仿真结果和重离子单粒子效应试验结果符合较好.仿真计算揭示了器件单粒子翻转敏感程度与器件n,p截止管区域面积相关的物理机理,并获得了不同线性能量转移(LET)值下单粒子翻转灵敏区域分布.采用蒙特卡洛方法计算了具有相同LET、不同能量的离子径迹分布,结果显示高能离子的电离径迹半径远大于低能离子,而低能离子径迹中心的能量密度却要高约两到三个数量级.随着器件特征尺寸的减小,这种差别的影响将会越来越明显,阈值LET和饱和截面将不能完全描述器件单粒子效应结果.
- 王晓晗郭红霞雷志锋郭刚张科营高丽娟张战刚
- 关键词：蒙特卡罗单粒子翻转
- LD端泵Nd：GdVO<sub>4</sub>高重频声光调Q激光器研究
- 激光二极管泵浦的固态激光器（DPSSL）具有结构紧凑、稳定性好、效率高和寿命长等优点。用较大功率LD作为泵浦源并利用调Q技术,可以获得高峰值功率高光束质量的激光输出,这在激光测量、激光雷达、激光遥感等领域有着非常广阔的应...
- 雷志锋
- 关键词：DPSSL声光调Q
- 双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法
- 本发明公开了一种双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统及方法，双极型器件低剂量率辐射损伤增强效应试验的预处理系统包括依次序连通的真空泵、测压装置、控温装置和氢气供给装置，真空泵与测压装置之间设有第一调节阀，控...
- 杨少华王晓晗刘远恩云飞黄云雷志锋陈辉
- 文献传递
- 多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统
- 本发明涉及一种多灵敏区单粒子效应预计的方法和系统，其中，多灵敏区单粒子效应预计的方法，包括以下步骤：确定半导体器件各灵敏区的临界电荷值，获取触发半导体器件一次单粒子效应所需的灵敏区的数量；在有效灵敏区的数量等于所需的灵敏...
- 张战刚雷志锋恩云飞黄云
- 文献传递
- 电子材料超低本底α粒子测试技术及试验研究
- 2022年
- 首先,介绍了3种关键的电子材料超低本底α粒子发射测试技术,包括α粒子来源甄别、宇宙射线信号识别和氡气本底来源判别技术;然后,通过进一步地开展试验研究,发现锡铅合金焊料的表面α粒子发射率远高于锡银铜合金焊料,发射能谱分析表明二者发射的α粒子均来自材料自身的^(210)Po核素,而经提纯处理后的合金焊料的表面α粒子发射率显著地下降。研究结果对高可靠性、大规模电子系统α粒子软错误测试和评价,以及提升产品可靠性具有重要的意义。
- 罗俊洋张战刚雷志锋雷志锋彭超岳少忠张鸿钟向丽孙常皓黄奕铭何玉娟黄云
- 关键词：电子材料Α粒子发射率能谱
- LED失效及其原因分析
- 总结分析了引起 LED 失效模式及其对应的失效机理和导致失效的原因;通过对 LED 的失效分析案例, 分析了引起了 LED 失效的几个重要原因：键合点偏移、键合脱落、内引线庸蚀以及芯片裂纹。最后提出了一些改进 LED 可...
- 雷志锋冯敬东
- 关键词：LED
- 文献传递
- 空间高能离子在纳米级SOISRAM中引起的单粒子翻转特性及物理机理研究被引量：1
- 2017年
- 基于蒙特卡罗方法研究空间高能离子在65—32 nm绝缘体上硅静态随机存取存储器(SOI SRAM)中产生的灵敏区沉积能量谱、单粒子翻转截面和空间错误率特性及内在的物理机理.结果表明:单核能为200 MeV/n的空间离子在60—40 nm厚的灵敏区中产生的能损歧离导致纳米级SOI SRAM在亚线性能量转移阈值区域出现单粒子翻转;宽的二次电子分布导致灵敏区仅能部分收集单个高能离子径迹中的电子-空穴对,致使灵敏区最大和平均沉积能量各下降25%和33.3%,进而引起单粒子翻转概率降低,以及在轨错误率下降约80%.发现俘获带质子直接电离作用导致65 nm SOI SRAM的在轨错误率增大一到两个数量级.
- 张战刚雷志锋岳龙刘远何玉娟彭超师谦黄云恩云飞
- 关键词：绝缘体上硅单粒子翻转二次电子
