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杨春晖

作品数：4 被引量：5H指数：2
供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术机械工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇感器
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电化学
  • 1篇氧化硅
  • 1篇应力传感
  • 1篇应力传感器
  • 1篇影响因素
  • 1篇蒸发
  • 1篇浓度传感器
  • 1篇温度传感器
  • 1篇力传感器
  • 1篇磷化氢
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度
  • 1篇化学方法
  • 1篇溅射
  • 1篇固相外延

机构

  • 3篇华南理工大学
  • 3篇广东农工商管...
  • 3篇中国赛宝实验...
  • 1篇信息产业部电...
  • 1篇信息产业部

作者

  • 4篇罗南林
  • 4篇杨春晖
  • 3篇刘百勇

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇电子质量
  • 1篇仪表技术与传...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
镱薄膜应力传感器的工艺研究被引量：1
2000年
介绍了镱薄膜应力传感器的工艺设计和制造过程 ,通过传感器的静态、动态标定及材料测试 。
杨春晖罗南林熊兴邦左齐鸣
关键词：应力传感器蒸发
用电化学方法测量磷化氢浓度的原理及应用被引量：2
1998年
本文基于磷化氢与氯化汞的化学反应及溶液的电化学原理，定量研究了磷化氢浓度与该溶液电导率变化量之间的关系，并将其应用到磷化氢浓度传感器上，得出该传感器灵敏度的计算公式。在实验基础上，确定了该磷化氢浓度传感器的实际灵敏度。
杨春晖罗南林刘百勇
关键词：浓度传感器电导率灵敏度磷化氢电化学
横向固相外延生长及其影响因素的研究被引量：2
1998年
对非超高真空条件下在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。
罗南林杨春晖刘百勇
关键词：固相外延溅射二氧化硅
SRT传感器技术及应用
1997年
介绍了SRT传感器的工作原理、结构特点封装技术及其广阔的应用前景。
杨春晖罗南林刘百勇
关键词：温度传感器
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共1页<1>
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