黄雒光
- 作品数：21 被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验被引量：4
- 2009年
- Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
- 黄雒光董四华刘英坤郎秀兰
- 关键词：可靠性
- P波段350 W LDMOS功率管研制
- 由于LDMOS器件制作工艺和性能的不断提升,LDMOS功率管已成为硅微波功率晶体管的主流。报道了采用亚微米多晶硅栅技术研制成功的P波段LDMOSFET的主要设计和工艺,通过减小寄生电容和电阻,改善了器件频率性能;通过LD...
- 郎秀兰段雪刘英坤邓建国胡顺欣刘忠山李明月潘茹黄雒光张晓帆
- 文献传递
- X波段1000W大功率内匹配功率器件研制被引量：2
- 2019年
- 一种新颖的GaN工艺应用于X波段高功率、高效率功率管,适合于雷达和遥感应用。不同于传统的GaN器件工作在28~40V,该器件工作大于50V,以达到高功率密度、效率和低输出电容。根据指标要求进行管芯结构设计,该大功率GaNHEMT内匹配器件采用双胞胞管芯功率合成技术,总栅宽为80mm×2。在50V漏电电压35μs周期、5%占空比测试条件下,10~11GHz频段内功率均大于1100W,功率增益大于7.5dB,在10.6GHz频点输出功率大于1300W,增益8.2dB,带内附加效率均大于35%,最高效率达到38.9%。
- 李剑锋银军余若祺梁青默江辉黄雒光
- 关键词：GAN高功率内匹配X波段KW
- 1.2～1.4GHz 300W宽带硅大功率双极晶体管研制被引量：2
- 2011年
- 介绍了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。采用大面积亚微米精细线条阵列加工技术、深亚微米浅结制备工艺技术、均匀热分布技术、双层金属化技术等工艺技术,研制出了L波段300 W宽带硅微波脉冲大功率晶体管。器件在1.2~1.4 GHz频带内,脉冲宽度150μs,占空比10%,工作电压40 V条件下,全频带内输出功率大于300 W,功率增益大于8.75 dB,集电极效率大于55%,并具有良好的可靠性。
- 徐守利刘英坤黄雒光胡顺欣邓建国潘茹
- 关键词：硅L波段微波脉冲功率晶体管亚微米
- P波段3kW GaN功率器件的研制被引量：2
- 2021年
- 介绍了一款高压高功率GaN功率器件及其匹配电路。基于国内高压GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究基础,选取了GaN HEMT芯片,确定了器件的总栅宽。根据GaN HEMT芯片阻抗,器件内部进行了LC谐振匹配设计,外部采用双边平衡同轴巴伦进行推挽匹配设计。散热方面通过改善封装管壳热沉材料提高热导率。最终成功研制出高压、3 kW的GaN功率器件,该器件在工作电压为60 V、工作频率为0.35~0.45 GHz、脉宽为300μs、占空比为10%条件下,频带内输出功率大于3 kW、功率增益大于16 dB、功率附加效率大于71%、抗负载失配能力不小于10∶1。
- 高永辉徐守利银军赵夕彬陈欣华黄雒光崔玉兴
- 关键词：内匹配高功率P波段
- 替代氢气炉进行芯片烧结的方法
- 本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金...
- 潘茹黄雒光潘仙玲程春红许洋
- 文献传递
- S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现被引量：10
- 2017年
- 本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成。在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55d Bm),功率增益大于14d B,功率附加效率大于62%。
- 斛彦生余若祺银军张志国李静强黄雒光
- 关键词：GANHEMT内匹配功率合成
- 替代氢气炉进行芯片烧结的方法
- 本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金...
- 潘茹黄雒光潘仙玲程春红许洋
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- 功率器件制备方法
- 本发明适用于功率器件技术领域，提供了一种功率器件制备方法，本方法将所述预失真电路和所述阻抗变换器集成形成单片微波集成电路，并结合功率芯片内匹配设计实现高线性度功率器件，有效解决了采用常规方法设计的功率器件存在大功率、高效...
- 吴家锋赵夕彬段雪银军黄雒光
- 文献传递
