王龙海
- 作品数：16 被引量：34H指数：4
- 供职机构：武汉工程大学电气信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金武汉市软科学研究计划项目武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信经济管理更多>>
- Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响被引量：4
- 2006年
- 在Pt／Ti／SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能。结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响。当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度P=21μC/cm2,矫顽场Ec=37kV/cm。
- 赵素玲官建国张联盟王龙海
- 关键词：铁电薄膜微观结构铁电性能
- PbTiO3/PbZr0.3Ti0.7O3/PbTiO3夹心结构铁电薄膜子晶层的优化被引量：1
- 2008年
- 用Sol-Gel法制备了Pb(1+x)TiO3/PbZr0·3Ti0·7O3/Pb(1+x)TiO3(PT/PZT/PT)夹心结构及PZT铁电薄膜,为了获得高质量的PT/PZT/PT夹心结构铁电薄膜,使用不同过量Pb配比(x)的PbTiO3(PT)层进行制备,以获得优化的PT子晶层.X射线衍射和原子力显微镜分析结果表明PT层中过量Pb配比(x)对薄膜的微结构影响很大,只有PT层中Pb过量配比x=0·10—0·15的薄膜为表面晶粒大小均匀致密的纯钙钛矿结构.X射线电子能谱对薄膜微区进行元素成分分析表明,对x=0·00的薄膜,在表面和界面处Pb明显的缺乏;而x=0·20时的薄膜,Pb则明显的过量.薄膜的铁电性能、疲劳特性和漏电流特性等电学性能与PT层中过量Pb配比(x)没有明显的变化趋势,但与薄膜的结晶性能密切相关.结晶性能较好的薄膜,其电学性能也较好.说明PT层中过量Pb配比(x)是通过影响PT子晶层自身的结晶,而影响整个薄膜的结晶行为,并进一步影响到整个薄膜的电学性能.因此,在其他工艺参数都相同时,PT层中合适的过量Pb配比应为x=0·10—0·15.优化的子晶层不仅能获得结晶性能较好的薄膜,而且薄膜的电学性能也好.
- 王龙海于军王耘波高峻雄赵素玲
- 关键词：铁电薄膜
- PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁被引量：5
- 2006年
- 用sol-gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0·3Ti0·7)O3/PbTiO3(PT/PZT/PT)新型夹心结构铁电薄膜.用扫描力显微镜(SFM)的压电响应模式获得了薄膜铁电畴的垂直于膜平面方向(OPP)、膜平面内(IPP)及OPP的相位和幅度图像,结合理论分析指出薄膜的电畴主要由c畴和偏离垂直于膜平面方向上的c畴构成,薄膜取向的复杂性导致了复杂的畴结构.对于[111]取向的薄膜,当偏离垂直于膜平面方向上的c畴在垂直膜平面方向和面内方向都相反时构成180°的畴壁,在垂直膜平面方向上相同、面内方向相反或由垂直膜平面方向上相反、面内方向相同时构成90°畴壁.
- 王龙海于军刘锋郑朝丹李佳王耘波高峻雄王志红曾慧中赵素玲
- 关键词：铁电薄膜
- 铁电存储器的基本单元及其工作模式
- 2006年
- 按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管FFET两种结构形式的分类,分别介绍了1T/1C,2T/2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体(MFS)结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。
- 李建军王耘波王龙海高俊雄于军
- 关键词：FRAMFFET
- 苹果公司的创新文化模式被引量：3
- 2011年
- 本期《决策研究》栏目发表的三篇文章。系武汉市软科学研究计划项目《201040333122-02）《金融危机下武汉光电子信息企业技术创新模式及实施策略研究报告》中的一部分。
- 王龙海田斌
- 关键词：文化模式软科学研究金融危机
- 武汉光电子信息产业技术创新能力分析被引量：1
- 2011年
- 光电子信息产业是武汉自主创新代表性产业，．其创新能力的强弱，不仅直接关系到武汉中国光谷与国家自主创新示范区建设，而且对于增强我国光电子等特色产业的国际竞争力、促进产业结构升级和发展方式转变也起着举足轻重的决定性作用。客观科学地评价其创新能力，
- 王龙海田斌
- 关键词：光电子信息产业产业结构升级自主创新示范区建设
- 武汉光谷新技术自主创新的路径
- 2011年
- 武汉国家光电子产业基地（即“武汉·中国光谷”）于2001年被原国家计委和科技部批准，2009年12月被国务院批准为国家自主创新示范区。经过十年的开拓已取得了显著成就，但要把“武汉·中国光谷”打造成像美国“硅谷”一样的世界一流科技园区，还需要不断地努力与创新。
- 王龙海田斌
- 关键词：自主创新中国光谷国家光电子产业基地
- 三维视频中深度信息估计算法被引量：1
- 2011年
- 介绍了三维视频中深度信息获取方法:基于区域算法和基于全局算法;分析了这两类算法的优点和不足,探讨了深度估计有待进一步研究和解决的问题.
- 程浩王龙海
- PT/PZT/PT铁电薄膜的电畴结构与极化保持特性被引量：1
- 2007年
- 用Sol-Gel法制备出了具有良好铁电性、纯钙钛矿结构的PbTiO3/Pb(Zr0.3Ti0.7)O3/PbTiO3铁电薄膜.在扫描力显微镜的压电响应模式下,薄膜电畴压电响应的振幅像和相位像都表现为亮暗(黑白)和灰度衬度.其复杂的畴衬度可归因于晶粒的结晶取向和畴排列所致.对于亮暗衬度区域,对应着极化方向相反的c畴.灰色衬度区域对应着偏离膜平面垂直方向的c畴.电场力响应模式下经12V极化后测得的表面电势图显示,电畴取向极化后,薄膜表面将俘获正电荷.这些俘获的正电荷,使薄膜表面这一区域呈高电势的亮区.在不同时间测得的表面电势图和表面电势线扫描信号可看出,表面势将随着时间的变化而降低,且强电场极化的区域,15min内表面电势下降迅速;弱场极化的区域表面电势变化缓慢.说明薄膜的极化保持特性与极化场强有密切的关系,在合适的电场下,薄膜极化后将会有较好的保持特性.
- 王龙海于军赵素玲郑朝丹王耘波高峻雄
- 关键词：铁电薄膜电畴
- 基于边界再设计理论的电子科学与技术专业建设探索被引量：2
- 2009年
- 一、引言电子科学与技术是一门高度综合而又相对独立、涉及多学科与多技术领域的前沿学科,国内理工院校大多数都设有该学科的不同专业。目前。
- 王龙海邹连英田斌
- 关键词：电子科学理工院校大工程观工程教育改革硬件描述语言
