2024年8月31日
星期六
|
欢迎来到贵州省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
蔡克理
作品数:
15
被引量:8
H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团第十三研究所
更多>>
发文基金:
国家高技术研究发展计划
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
李献杰
电子工业部
敖金平
电子工业部
曾庆明
电子工业部
曾庆明
中国电子科技集团第十三研究所
焦智贤
电子工业部
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
12篇
期刊文章
2篇
会议论文
1篇
科技成果
领域
14篇
电子电信
主题
6篇
晶体管
5篇
双极晶体管
4篇
光电
3篇
HBT
2篇
倒装焊
2篇
电路
2篇
钝化
2篇
异质结
2篇
砷化镓
2篇
双极
2篇
接收机
2篇
集成电路
2篇
光接收
2篇
光接收机
2篇
半导体
2篇
硅
2篇
GAAS_H...
2篇
GAINP
2篇
HEMT
2篇
MSM
机构
6篇
电子工业部
4篇
中国电子科技...
2篇
河北半导体研...
2篇
吉林大学
2篇
机电部
1篇
华北光电技术...
1篇
武汉大学
1篇
西安交通大学
作者
15篇
蔡克理
6篇
李献杰
5篇
敖金平
3篇
焦智贤
3篇
曾庆明
3篇
曾庆明
2篇
曾庆明
2篇
刘式墉
2篇
赵永林
1篇
严北平
1篇
潘静
1篇
乔树允
1篇
王全树
1篇
张钢
1篇
郭建魁
1篇
罗晋生
1篇
东熠
1篇
杜鹏搏
1篇
蔡树军
1篇
宗婉华
传媒
7篇
半导体情报
2篇
光电子.激光
1篇
半导体技术
1篇
电子器件
1篇
固体电子学研...
1篇
全国化合物半...
1篇
全国化合物半...
年份
1篇
2007
1篇
2002
2篇
2000
2篇
1999
3篇
1998
1篇
1997
2篇
1996
1篇
1995
1篇
1993
1篇
1992
共
15
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
10GHz硅双极振荡晶体管研究
1992年
采用全离子注入、全干法腐蚀技术研制出了10GHz下振荡输出10mW的硅双极晶体管。较好的器件在10GHz下,振荡输出20mW。由S参数测量外推得到的f_T和f_(max)分别为19和13GHz。
蔡克理
关键词:
硅
双极晶体管
晶体管
单片集成MSM/HEMT长波长光接收机
被引量:4
2000年
本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。
敖金平
曾庆明
赵永林
李献杰
蔡克理
刘式墉
梁春广
关键词:
MSM光探测器
光接收机
长波长
光集成电路
MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究
2000年
介绍了新型 CMOS- SEED灵巧像素结构原理及相关的 MCM倒装焊混合集成技术 ,采用厚光致抗蚀剂作掩模 ,通过磁控溅射和真空蒸发相结合 ,研究了与 CMOS- SEED有关的 In凸点阵列成型、倒装焊、芯片间隙注入及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。
李献杰
曾庆明
蔡克理
敖金平
赵永林
王全树
郭建魁
刘伟吉
徐晓春
张钢
赵建中
关键词:
倒装焊
光电集成
GaAs HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较
曾庆明
蔡克理
关键词:
GAAS
HBT
场效应器件
硅双极晶体管
高电流截止频率GaInP/GaAs HBT
1997年
本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺条件下制作的AlGaAs/GaAsHBP.
焦智贤
蔡克理
王全树
潘静
关键词:
双极晶体管
砷化镓
截止频率
X016(PD300)、X017(PD75)、X018(PD75A)、X019(PD40)型高速InGaAs光电探测器芯片
曾庆明
李献杰
乔树允
王全树
耿林茹
蒲运章
宗婉华
蔡克理
刘中华
刘春雨
该课题对正面进光结构InP/InGaAs PIN 光电探测器芯片进行了全面、系统的研究,开发了开管锌扩散工艺方法;设计了双层增透膜,提高了光响应度;采用了电镀加厚焊接电极;实现了低阻P型欧姆接触。该研究达国际先进水平。
关键词:
关键词:
光电
芯片
InP基InAlAs-InAs HEMT
被引量:1
1998年
对InAs沟道InAlAs-InAs高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究,器件样品性能良好,1μm栅长InAlAs-InAsHEMT器件的最大跨导300K时达到250mS/mm。这是国内首次研制成功的InAs沟道HEMT器件。
敖金平
曾庆明
蔡克理
赵永林
关键词:
高电子迁移率
HEMT
砷化铟
重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探
1995年
重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探严北平,潘静,蔡克理,章其麟,罗晋生(西安交通大学电子工程系,710049)(河北半导体研究所,石家庄,050051)AStudyofGaInP/GaAs-HBTwithaHeavilyC-doped...
严北平
潘静
蔡克理
章其麟
罗晋生
关键词:
双极晶体管
半导体
异质结
提高功率HBT可靠性技术研究
功率HBT的可靠性是制约器件实用化的关键因素之一。该文对影响HBT器件可靠性的一些机理进行了分析,开展了相关工艺的研究,并制作了性能良好的器件样品。
焦智贤
蔡克理
关键词:
功率
HBT
文献传递
与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺
被引量:1
1999年
介绍了新型CMOS-SEED灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与CMOS-SEED有关的In凸点阵列成型等关键工艺,并用M8-A型可视对准式倒装焊系统完成了CMOS电路芯片和SEED阵列芯片的倒装焊。
李献杰
曾庆明
蔡克理
敖金平
赵永林
焦智贤
王全树
郭建魁
关键词:
倒装焊
半导体光电器件
凸点
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张