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蔡克理

作品数：15 被引量：8H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 5篇双极晶体管
  • 4篇光电
  • 3篇HBT
  • 2篇倒装焊
  • 2篇电路
  • 2篇钝化
  • 2篇异质结
  • 2篇砷化镓
  • 2篇双极
  • 2篇接收机
  • 2篇集成电路
  • 2篇光接收
  • 2篇光接收机
  • 2篇半导体
  • 2篇硅
  • 2篇GAAS_H...
  • 2篇GAINP
  • 2篇HEMT
  • 2篇MSM

机构

  • 6篇电子工业部
  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇吉林大学
  • 2篇机电部
  • 1篇华北光电技术...
  • 1篇武汉大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 15篇蔡克理
  • 6篇李献杰
  • 5篇敖金平
  • 3篇焦智贤
  • 3篇曾庆明
  • 3篇曾庆明
  • 2篇曾庆明
  • 2篇刘式墉
  • 2篇赵永林
  • 1篇严北平
  • 1篇潘静
  • 1篇乔树允
  • 1篇王全树
  • 1篇张钢
  • 1篇郭建魁
  • 1篇罗晋生
  • 1篇东熠
  • 1篇杜鹏搏
  • 1篇蔡树军
  • 1篇宗婉华

传媒

  • 7篇半导体情报
  • 2篇光电子．激光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇全国化合物半...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2002
  • 2篇2000
  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1992
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
10GHz硅双极振荡晶体管研究
1992年
采用全离子注入、全干法腐蚀技术研制出了10GHz下振荡输出10mW的硅双极晶体管。较好的器件在10GHz下,振荡输出20mW。由S参数测量外推得到的f_T和f_(max)分别为19和13GHz。
蔡克理
关键词：硅双极晶体管晶体管
单片集成MSM/HEMT长波长光接收机被引量：4
2000年
本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。
敖金平曾庆明赵永林李献杰蔡克理刘式墉梁春广
关键词：MSM光探测器光接收机长波长光集成电路
MCM倒装焊技术在CMOS-SEED灵巧象素中的应用研究
2000年
介绍了新型 CMOS- SEED灵巧像素结构原理及相关的 MCM倒装焊混合集成技术 ,采用厚光致抗蚀剂作掩模 ,通过磁控溅射和真空蒸发相结合 ,研究了与 CMOS- SEED有关的 In凸点阵列成型、倒装焊、芯片间隙注入及子芯片衬底减薄或去除等关键工艺。
李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林王全树郭建魁刘伟吉徐晓春张钢赵建中
关键词：倒装焊光电集成
GaAs HBT的抗辐照特性及其与GaAs场效应器件和硅双极晶体管的比较
曾庆明蔡克理
关键词：GAASHBT场效应器件硅双极晶体管
高电流截止频率GaInP/GaAs HBT
1997年
本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺条件下制作的AlGaAs/GaAsHBP.
焦智贤蔡克理王全树潘静
关键词：双极晶体管砷化镓截止频率
X016(PD300)、X017(PD75)、X018(PD75A)、X019(PD40)型高速InGaAs光电探测器芯片
曾庆明李献杰乔树允王全树耿林茹蒲运章宗婉华蔡克理刘中华刘春雨
该课题对正面进光结构InP/InGaAs PIN 光电探测器芯片进行了全面、系统的研究，开发了开管锌扩散工艺方法；设计了双层增透膜，提高了光响应度；采用了电镀加厚焊接电极；实现了低阻P型欧姆接触。该研究达国际先进水平。
关键词：
关键词：光电芯片
InP基InAlAs-InAs HEMT被引量：1
1998年
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制成功的ＩｎＡｓ沟道ＨＥＭＴ器件。
敖金平曾庆明蔡克理赵永林
关键词：高电子迁移率HEMT砷化铟
重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探
1995年
重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...
严北平潘静蔡克理章其麟罗晋生
关键词：双极晶体管半导体异质结
提高功率HBT可靠性技术研究
功率HBT的可靠性是制约器件实用化的关键因素之一。该文对影响HBT器件可靠性的一些机理进行了分析，开展了相关工艺的研究，并制作了性能良好的器件样品。
焦智贤蔡克理
关键词：功率HBT
文献传递
与CMOS-SEED灵巧象素相关的倒装焊工艺被引量：1
1999年
介绍了新型ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术，采用厚光致抗蚀剂作掩模，通过磁控溅射和真空蒸发相结合，解决了与ＣＭＯＳ－ＳＥＥＤ有关的Ｉｎ凸点阵列成型等关键工艺，并用Ｍ８－Ａ型可视对准式倒装焊系统完成了ＣＭＯＳ电路芯片和ＳＥＥＤ阵列芯片的倒装焊。
李献杰曾庆明蔡克理敖金平赵永林焦智贤王全树郭建魁
关键词：倒装焊半导体光电器件凸点
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