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边强

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京国科世纪激光技术有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇电池
  • 3篇透镜
  • 3篇精密工作台
  • 3篇聚焦透镜
  • 3篇激光
  • 3篇激光聚焦
  • 3篇光电池
  • 3篇硅光电池
  • 3篇硅片
  • 3篇硅片表面
  • 3篇槽线

机构

  • 3篇北京国科世纪...

作者

  • 3篇裴博
  • 3篇牛岗
  • 3篇樊仲维
  • 3篇赵剑波
  • 3篇崔建丰
  • 3篇边强
  • 3篇张晶
  • 3篇石朝晖

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
在硅光电池表面刻槽的方法及装置
本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和-θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片...
樊仲维裴博边强赵剑波石朝晖崔建丰张晶牛岗王裴峰
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在硅光电池表面刻槽的装置
本实用新型公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工装置。该装置采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片表...
樊仲维裴博边强赵剑波石朝晖崔建丰张晶牛岗王裴峰
文献传递
在硅光电池表面刻槽的方法及装置
本发明公开了一种在硅光电池的表面进行刻槽的加工方法及装置。该方法采用两束激光分别与加工平面的法线方向对称倾斜角度+θ和－θ，并且使两束激光所在的平面垂直于槽线方向，用聚焦透镜将两束激光聚焦在垂直于槽线方向上，焦点位于硅片...
樊仲维裴博边强赵剑波石朝晖崔建丰张晶牛岗王裴峰
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