张玉峰
- 作品数：5 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程核科学技术理学电子电信更多>>
- 一种可调透明度锡酸镉红外屏蔽镀层、其生产工艺及应用
- 本发明公开了一种可调透明度锡酸镉红外屏蔽镀层、其生产工艺及应用。该生产工艺将需要实施红外屏蔽的物体衬底在混合气氛中实施磁控溅射镀膜，随后在氮气中结晶。更为重要的是，按照本发明的制备方法，适用于各种衬底，可以实现工业规模化...
- 刘向鑫朱子尧张玉峰
- 一种用来在衬底上沉积半导体材料的装置
- 本实用新型公开了一种用来在衬底上沉积半导体材料的装置，它利用升华管元件作为主要的装置构成部件，半导体材料的气体通过它流出，以提供在被传送的衬底上沉积形成半导体薄膜层的蒸汽。升华管元件具有开口，开口形式可以为密排孔或缝隙，...
- 刘向鑫张玉峰林新璐
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族半导体构建的结场型薄膜电池与铁电半导体耦合电池新进展
- 中科院电工所自2011年以来,经过多方面的工艺技术改进,已经在在商用Low-E导电玻璃上获得了转换效率达到14.4％的小面积CdTe电池,采用磁控溅射方法分别沉积CdS窗口层和CdTe吸收层薄膜.通过高分辨TEM分析发现...
- 刘向鑫李辉杨彪帅佳丽杜忠明李彬张玉峰朱子尧
- 一种在室温合成具有宽带隙CdS的简单方法（英文）
- 2015年
- 采用简单的磁控溅射方法,在室温合成了Cd S多晶薄膜.在溅射Cd S多晶薄膜过程中,分别在Ar气中通入0%、0.88%、1.78%、2.58%和3.40%(体积分数,φ)的O2,得到不同O含量的Cd S多晶薄膜.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪对得到的Cd S多晶薄膜进行表征.分析结果表明:O的掺入能得到结合更加致密,晶粒尺寸更小的Cd S多晶薄膜;与溅射气体中没有O2时制备的Cd S多晶薄膜的光学带隙(2.48 e V)相比,当溅射气体中O2的含量为0.88%和1.78%(φ)时,制备得到的Cd S多晶薄膜具有更大的光学带隙,分别为2.60和2.65 e V;而当溅射气体中O2的含量为2.58%和3.40%(φ)时,得到的Cd S光学带隙分别为2.50和2.49 e V,与没有掺杂O的Cd S的光学带隙(2.48 e V)相当;当溅射气体中O2的含量为0.88%(φ)时,制备的Cd S多晶薄膜具有最好的结晶质量.通过磁控溅射方法,在溅射气体中O2含量为0.88%(φ)条件下制备的Cd S多晶薄膜表面沉积了Cd Te多晶薄膜并在Cd Cl2气氛中进行了高温退火处理,对退火前后的Cd Te多晶薄膜进行了表征.表征结果显示:Cd S中掺入O能得到结合更紧密、退火后晶粒尺寸更大的Cd Te多晶薄膜.通过磁控溅射方法,在Cd S制备过程中于Ar中掺入O2,在室温就能得到具有更大光学带隙的Cd S多晶薄膜,该方法是一种简单和有效的方法,非常适用于大规模工业化生产.
- 李辉刘向鑫张玉峰杜忠明杨彪韩俊峰BESLAND Marie-Paule
- 关键词：CDS磁控溅射CDTE太阳能电池
- 一种可调透明度锡酸镉红外屏蔽镀层、其生产工艺及应用
- 本发明公开了一种可调透明度锡酸镉红外屏蔽镀层、其生产工艺及应用。该生产工艺将需要实施红外屏蔽的物体衬底在混合气氛中实施磁控溅射镀膜，随后在氮气中结晶。更为重要的是，按照本发明的制备方法，适用于各种衬底，可以实现工业规模化...
- 刘向鑫朱子尧张玉峰
- 文献传递
