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戚丽娜

作品数：67 被引量：10H指数：1
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 15篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 27篇晶体管
  • 18篇二极管
  • 16篇多晶
  • 16篇多晶硅
  • 16篇绝缘栅
  • 15篇双极晶体管
  • 15篇绝缘栅双极晶...
  • 14篇源区
  • 10篇氧化层
  • 10篇快恢复二极管
  • 10篇光刻
  • 9篇沟槽
  • 8篇接触孔
  • 8篇硅片
  • 7篇多晶硅栅
  • 7篇压降
  • 7篇漂移区
  • 7篇硅栅
  • 7篇IGBT
  • 6篇元胞

机构

  • 67篇江苏宏微科技...

作者

  • 67篇戚丽娜
  • 58篇张景超
  • 58篇赵善麒
  • 40篇刘利峰
  • 34篇林茂
  • 15篇王晓宝
  • 7篇吴迪
  • 4篇钱锴
  • 3篇周东海
  • 1篇姚天保
  • 1篇刘清军

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 5篇2022
  • 11篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2012
  • 2篇2011
共 67 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种RC-IGBT的背面制备方法
本发明提供一种RC‑IGBT的背面制备方法，包括NFS背面注入使用两层光刻版，一层用于N+注入，一层用于P+注入，最终背面N+掺杂区呈T型结构，实现寄生二极管VF可调，IGBT压降可调，正向导通时起到抑制Snapback...
戚丽娜张景超 俞义长 井亚会林茂 朱洪杰刘利峰赵善麒
集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法
本发明涉及一种集成在晶体管上的温度传感二极管结构及其制备方法，第一多晶硅层上部连接有第二氧化层，第二氧化层具有向下隔离出二极管区域的隔离部分，第二氧化层上部依次连接有第二多晶硅层和绝缘介质层，绝缘介质层的环形隔离部分将第...
王培林井亚会戚丽娜张景超刘利峰赵善麒
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沟槽式快恢复二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质层相...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
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新型绝缘栅双极晶体管背面结构及其制备方法
本发明涉及一种新型绝缘栅双极晶体管背面结构，在绝缘栅双极晶体管硅片背面从里至外依次连接有N型第二阻挡区、P型第二发射区、N型第一阻挡区以及P型第一发射区和集电极，其中，所述N型第二阻挡区的厚度在0～10μm，P型第二发射...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒林茂吴迪
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一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构
本发明属于电动汽车晶体管技术领域，尤其涉及一种电动汽车用IGBT或MOSFET版图结构。其包括IGBT或MOSFET版，所述IGBT或MOSFET版上间隔设置若干列沟槽，所述同一列沟槽重复断开，所述同一列沟槽断开间距0....
井亚会戚丽娜俞义长张景超林茂刘利峰赵善麒
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沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构及其制备方法
本发明涉及一种沟槽型绝缘栅双极晶体管的沟槽栅结构的制备方法，按以下步骤进行，⑴、场限环制作，⑵、氧化、光刻有源区，⑶、淀积阻挡氧化层，⑷、刻蚀阻挡氧化层，⑸、刻蚀沟槽区，⑹、栅氧化、淀积多晶硅，⑺、刻蚀多晶硅，⑻、硼磷硅...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒王晓宝
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内绝缘封装结构及其工艺方法
本发明提供一种内绝缘封装结构及其工艺方法，所述内绝缘封装结构包括：铜框架，框架包括载片台和引线框架，载片台的一面通过焊料与芯片进行焊接；绝缘装置，绝缘装置的一面通过焊料与载片台的另一面焊接，绝缘装置未与载片台焊接部分的绝...
戚丽娜俞义长赵善麒
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双栅MOS结构的功率晶体管
本实用新型涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅氧化层相连，第三掺杂层位于第二掺杂层内并与栅氧化层相连，绝缘介质层覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层覆在绝缘介质层上...
张景超戚丽娜刘利峰王晓宝赵善麒
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绝缘栅双极晶体管的源区结构
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管的源区结构，在绝缘栅双极晶体管正面的源区沿垂直于导电沟道方向的区域包括间隔设置两个以上的源区注入区和相邻两源区注入区之间的源区不注入区，各源区注入区包括接触孔引出区和源区电阻区，电流经源区注...
戚丽娜张景超刘利峰赵善麒王晓宝
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MOS器件栅极孔的制作方法
本发明涉及一种MOS器件栅极孔的制作方法，按以下步骤进行，将清洁处理后的硅片放入氧化炉内进行第一氧化处理，形成第一氧化层；在光刻场环区窗口，并在场环区注入离子和推结在场环区窗口内的栅极孔区域内留下一条凸起部分的第一氧化层...
张景超吴迪林茂戚丽娜刘利峰赵善麒
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