王立国
- 作品数：56 被引量：51H指数：4
- 供职机构：河南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：矿业工程自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>
- 一种用于煤矿井下便携式瓦斯解吸仪及其测试方法
- 一种用于煤矿井下便携式瓦斯解吸仪及其测试方法，包括折叠式三脚架、称重装置、解吸仪本体、储水瓶、煤样罐和抽气吸水装置；称重装置设置在折叠式三脚架顶部，称重装置上设有气泡水平仪，解吸仪本体设置在称重装置上，解吸仪本体下部通过...
- 刘军袁军伟王林许彦鹏陈金生戚灵灵陈立伟王立国
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- 一种穿层钻孔分离式全程瓦斯抽采封孔装置及封孔方法
- 本发明涉及一种穿层钻孔分离式全程瓦斯抽采封孔装置及封孔方法，包括插入到煤层内钻孔中的上瓦斯抽采管和下瓦斯抽采管，上瓦斯抽采管和下瓦斯抽采管与钻孔的内壁通过分别套设在上瓦斯抽采管和下瓦斯抽采管的密封膨胀装置密封固定连接，且...
- 陈立伟裴蓓王林许彦鹏刘军袁军伟陈向军安丰华王立国陈金生高保彬
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- 开采上保护层下伏煤岩应力效应演化规律被引量：9
- 2015年
- 为研究青龙煤矿上保护层开采过程中下伏煤岩层的应力效应演化规律,评价保护层开采效果,利用数值模拟的方法,研究了被保护层最大主应力沿走向分布状态,并对被保护层变形特性和瓦斯流量进行了现场考察,分析了保护层开采过程中被保护层的卸压规律。结果表明:上保护层开采过程中,被保护层最大主应力沿走向呈现"四带"分布特征,卸压带内应力最大释放率为43%;煤层相对膨胀变形率最高达到4.9‰;钻孔瓦斯流量最高为0.194 m3/min,提高28倍。煤层变形特性及瓦斯流动规律与数值模拟结果基本一致,卸压区域更加有利于瓦斯排放,合理布置钻孔可有效提高抽采效果。
- 吴家浩王兆丰王立国曹超
- 关键词：数值模拟上保护层开采卸压范围瓦斯流量瓦斯抽采
- 一种基于原子稀疏分解的变压器绕组故障诊断方法
- 本发明提供一种基于原子稀疏分解的变压器绕组故障诊断方法，该方法包括：采用三相变压器试验模拟不同工况下的变压器绕组故障，采集其振动信号，将振动信号进行原子稀疏分解，得到衰减模态参数，将衰减模态参数进行数据的预处理，得到变压...
- 刘景艳王立国张丽郭顺京郭宇王允建谢东垒
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- 一种基于原子稀疏分解的高压断路器机械故障诊断方法
- 本发明提供一种基于原子稀疏分解的高压断路器机械故障诊断方法，该方法包括：采用高压断路器试验模拟不同类型的机械故障，采集其振动信号，将振动信号进行原子稀疏分解，得到衰减模态参数，将衰减模态参数进行数据的预处理，得到不同机械...
- 刘景艳王立国王允建谢东垒张丽郭顺京郭宇
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- 一种下向钻孔自动排水装备
- 本发明公开了一种下向钻孔自动排水装备，包括下向钻孔自动排水仪、导线、主抽采管、压风管、电磁三通阀、钻孔抽采管、排水管、单向阀、封孔材料、上液位传感器和下液位传感器；所述下向钻孔自动排水仪包括隔爆外壳、设置在隔爆外壳上的L...
- 董家昕王兆丰王龙王立国王林邢医马树俊刘思迪郑梦浩霍肖肖
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- 一种含水围岩煤层瓦斯压力测试装置及方法
- 本发明公开了一种含水围岩煤层瓦斯压力测试装置及方法，其包括：升降架，呈左右对称设置；衔接固定架，上下设置两组，下方所述衔接固定架固定与左右侧所述升降架之间，用于压力测试筒、转接筒的纵向导向滑动，上方所述衔接固定架安装于左...
- 贾天让琚宜文谭毅马克熊建龙李鑫刘永茜徐刚王立国焦华喆
- 煤矿高压电网在线运行管理系统的多模式整定计算方法
- 本发明公开了一种煤矿高压电网在线运行管理系统的多模式整定计算方法，所述系统由智能终端、工程师站、通信分站和高压开关综保装置组成；智能终端根据矿井高压供电系统电气设备之间的供电关系以及高压开关的分合闸状态对各种运行方式下的...
- 王新良张中卫王光超王立国朱俊杰马星河李自强李辉陈楠平源
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- 穿层钻孔各煤层瓦斯抽采比例计算方法及应用被引量：4
- 2016年
- 为了测定穿层钻孔多煤层瓦斯抽采各煤层瓦斯抽采比例及残余瓦斯含量,分别提出了相应的解决方法。计算穿层钻孔多煤层瓦斯抽采各煤层瓦斯抽采比例时,提出将煤层厚度、原始瓦斯含量、透气性系数的乘积作为瓦斯抽采相关量,将瓦斯抽采相关量归一化处理来计算,考虑了影响穿层钻孔瓦斯抽采的主要因素;预测穿层钻孔多煤层瓦斯抽采各煤层残余瓦斯含量时,利用原始瓦斯含量与吨煤瓦斯抽采量来计算,吨煤瓦斯抽采量与穿层钻孔瓦斯抽采总量、穿层钻孔在该煤层的瓦斯抽采比例及该煤层的质量有关。结果表明:提出的穿层钻孔多煤层瓦斯抽采各煤层瓦斯抽采比例计算方法,与贵州省青龙煤矿现场实测结果的最大相对误差仅为2.03%,能够满足工程实践的需要。
- 徐青伟王兆丰徐书荣王立国
- 关键词：穿层钻孔残余瓦斯含量
- 一种基于压控磁化翻转的巨磁阻存储单元实现方法
- 本发明公开了一种基于压控磁化翻转的巨磁阻存储单元实现方法，包括以下步骤：S1、在压电基片上、下表面分别设置电极；S2、采用磁控溅射薄膜沉积工艺在压电基片上表面制备巨磁电阻薄膜层；在零磁场下，巨磁电阻薄膜中自由层与固定层的...
- 刘梦丽王立国张丽
