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董晓伟

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十三研究所更多>>
相关领域：电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电路
  • 3篇铜带
  • 3篇芯片
  • 3篇互连
  • 3篇互连结构
  • 3篇混合集成电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇功率芯片
  • 3篇厚膜
  • 2篇导体
  • 2篇低热阻
  • 2篇多层布线
  • 2篇多层布线基板
  • 2篇热阻
  • 2篇金属
  • 2篇互连方法
  • 2篇基板
  • 2篇过渡金属
  • 2篇厚膜导体
  • 2篇布线

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇董晓伟
  • 5篇郑静
  • 3篇王腾
  • 3篇常永嘉
  • 2篇何汉波
  • 1篇郑东

传媒

  • 1篇电器与能效管...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种厚膜混合集成星载二次电源设计
2024年
针对星载雷达配套二次电源高功率、高效率、小型化的需求,提出一种二次电源设计方案。详细介绍电路设计方案和工艺设计方案,在电源模块内集成功率变换、电涌抑制、电磁干扰(EMI)滤波、保护等多种功能电路,工艺上以厚膜混合集成微组装工艺为基础,结构上采用双层组装结构设计,并进行仿真分析。最后研制样机并进行测试。经过测试验证,所设计的二次电源相比传统电源,体积缩减了85%、重量减轻了74%,可以为星载雷达配套二次电源提供小型化、轻量化的解决方案。
郑东董晓伟高东辉黄煜炜
关键词：二次电源星载雷达微组装厚膜技术
功率芯片互连结构及其互连方法
本发明涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构及其互连方法，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带...
王腾郑静常永嘉董晓伟
文献传递
功率芯片互连结构
本实用新型涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带的焊接互...
王腾郑静常永嘉董晓伟
文献传递
功率芯片互连结构及其互连方法
本发明涉及混合集成电路功率芯片三维焊接互连技术，具体涉及一种功率芯片互连结构及其互连方法，该互连结构包括功率芯片、过渡金属片和铜带或铜框架，互连方法为：先在功率芯片上焊接过度金属片，通过过渡金属片实现功率芯片与基板过铜带...
王腾郑静常永嘉董晓伟
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一种低热阻的厚膜多层布线结构
本实用新型的一种低热阻的厚膜多层布线结构，可解决厚膜多层布线产品大功率芯片散热不佳的技术问题。包括基板，所述基板为厚膜基板，所述基板下表面印刷背面金属化材料，所述金属化材料为厚膜导体，所述基板上表面印刷内层导体和顶层焊区...
郑静卫敏董晓伟何汉波
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一种低热阻的厚膜多层布线结构及其制备方法
本发明的一种低热阻的厚膜多层布线结构及其制备方法，可解决厚膜多层布线产品大功率芯片散热不佳的技术问题。包括基板，所述基板为厚膜基板，所述基板下表面印刷背面金属化材料，所述金属化材料为厚膜导体，所述基板上表面印刷内层导体和...
郑静 卫敏董晓伟何汉波
文献传递
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